中国のDラム企業である長鑫科技（CXMT）が次世代モバイルDラムであるLPDDR6の開発を事実上の最終段階に進め、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンが主導するグローバルメモリー市場の追撃に速度を上げている。
中国メディアの第一財経は1日（現地時間）、業界関係者の話として、CXMTの中核系列会社がLPDDR6の研究開発（R&D）検証をほぼ完了し、量産を控えた中核段階に入ったと報じた。
LPDDRはスマートフォンやタブレットなどモバイル機器に搭載される低消費電力Dラム規格である。低電圧駆動によって消費電力を抑えたことが特徴で、製品化までにはチップ（ダイ）単品検証、R&D検証、少量生産導入検証、量産などの手続きを経る。
先に中国業界では、CXMTがLPDDR6開発を積極的に推進し、主要顧客にサンプルを供給しており、今年下半期の製品公開と量産に踏み切る可能性が提起されていた。
第一財経は、CXMTのLPDDR6が設計基準で最大12.8Gbps（秒当たりギガビット）の速度をサポートし、信頼性（RAS）と保守性など主要性能がLPDDR5X比で改善されたと伝えた。
CXMTは現在、DDR5とLPDDR5を主力製品として生産している。新規株式公開（IPO）の投資説明書によれば、LPDDR5は2023年、DDR5は2024年、LPDDR5Xは2025年に量産へ入った。昨年の売上構成比はLPDDR系列が66.43%、DDR系列が31.87%で、業績の大半が汎用Dラムで発生した。
グローバルメモリー各社も次世代LPDDR6市場の先取りに向けた競争を本格化している。
SKハイニックスは3月、10ナノ級第6世代（1c）プロセスを適用した16Gb LPDDR6 Dラムの開発に成功したと発表した。会社は上半期に量産準備を終え、下半期から供給を開始してAI時代に最適化した汎用メモリー製品群を拡大する計画を明らかにしたことがある。
サムスン電子は1月のCES 2026でLPDDR6を公開したが、具体的な量産スケジュールはまだ発表していない。マイクロンも6月の業績発表カンファレンスコールで、今後のDラム需要の中心がLPDDR5・DDR5からLPDDR6・DDR6へ移行すると見通したが、製品開発の進捗や量産計画は公表しなかった。
中国ではSKハイニックスの市場先取り戦略にも注目している。中国メディアの界面などは、SKハイニックスが急速に成長するCXMTをけん制するためLPDDR6の量産時期を前倒しし、シャオミなど中国のスマートフォン企業を初期顧客として確保して次世代モバイルメモリー市場の主導権を先取りしようとしていると分析した。
これは技術優位を土台に主要顧客を先に確保し、CXMTが本格的に追撃しても市場参入の余地を最小化しようとする戦略という解釈である。第一財経は「CXMTが今年下半期にLPDDR6量産に突入する場合、SKハイニックスと次世代モバイルDラム市場で直接競合することになる」と展望した。