サムスン電子が下期も人工知能（AI）の普及に伴うメモリー需要の強さが続き、DRAMとNANDフラッシュの供給不足が深刻化すると見通した。AIサーバーと高帯域幅メモリー（HBM）の需要増がモバイルとPC市場の減速を相殺するとの分析である。
キム・ジェジュン サムスン電子メモリー事業部戦略マーケティング室長（副社長）は30日、2四半期の決算発表後に開いたカンファレンスコールで「2四半期のメモリー市場はAIアプリケーションの拡散に支えられ、DRAMとNANDの双方で強い需要を示した」と述べ、「AIデータセンター投資が拡大し、主要ハイパースケーラーを中心に追加供給の要請が続いた」と語った。
サムスン電子はAI需要に対応し、サーバー向け製品を中心に生産と販売を拡大した結果、DRAMとNANDの双方で過去最大のビット出荷量を記録したと明らかにした。サーバー向け製品の比率も過去最高水準を達成した。
HBM事業も成果を上げた。サムスン電子は次世代HBM4の供給を拡大する一方、業界で初めて主要顧客にHBM4Eのサンプルを出荷し、技術競争力を強化したと説明した。
2四半期のDRAMビット出荷量は前期比で1割台前半増加し、同社ガイダンスを上回った。NANDのビット出荷量は一桁台前半の増加でガイダンスに合致した。平均販売価格（ASP）はDRAMが前期比で4割台半ば、NANDは6割台後半上昇した。
サムスン電子は下期もAIインフラ投資が続き、メモリー需要の強さが持続すると見込んだ。AIサーバーだけでなく一般サーバーの需要も拡大しており、モバイルとPC市場は価格上昇の影響で一部減速しているが、サーバー向けDRAMとSSD、HBMの需要増がこれを上回っているとの説明である。
キム副社長は「生産拡大の努力にもかかわらず、需要の増加速度のほうが速い」とし、「来年も需要に対する供給不足は一段と拡大すると予想する」と述べた。
サムスン電子はこれに対応し、顧客需要と在庫水準を考慮した製品ミックスを最適化する計画だ。3四半期のビット出荷量は、DRAMが前期比で一桁台半ば、NANDは一桁台後半の増加になると見通した。同社はAIメモリー中心の製品競争力を基盤に市場の主導権を維持する方針だ。