サムスン電子が人工知能（AI）半導体の中核部品である第8世代高帯域幅メモリー（HBM5）製品に、自社の最先端2ナノ工程技術を適用することを決めた。将来のHBM市場で技術優位を確実に固める戦略とみられる。
ク・ジャフム サムスン電子ファウンドリー事業部技術開発室長（副社長）は27日、サムスン電子半導体ニュースルームとのインタビューでこの計画を明らかにした。ク副社長によれば、HBM5はHBM4Eよりデータ処理速度が50%以上速くなる見通しだ。これに向けて、複数層のDRAMを積み上げる土台である「ベースダイ」に、速度と電力効率をともに引き上げられる最新工程を適用する計画である。
サムスン電子はHBM5に「ゲートオールアラウンド（GAA）」方式の2ナノ工程を用いる計画だ。GAAはトランジスタの電流経路をゲートで四方から包み、電流をより精密に制御する構造で、従来方式より性能と電力効率を同時に高められる。サムスン電子はこれに、DRAMを層状に接続する微細電極であるTSV（シリコン貫通電極）もさらに高密度に実装する予定だ。
サムスン電子はHBMを設計から半導体製造、最終パッケージングまで一社が担う「ターンキー（一括生産）」方式で作る点を強みとして掲げた。設計段階から最適化しやすく、製品完成までの時間とコストも削減できるという説明である。
ファウンドリー事業の技術力についても自信を示した。サムスン電子は2022年に世界で初めてGAA構造を適用した3ナノ工程の量産に成功し、続いて昨年下半期には2ナノ第1世代工程の量産も開始した。今年下半期には、歩留まりと性能を改善した2ナノ第2世代工程でスマートフォン向け半導体の新製品を量産する計画だ。
ク副社長は、このような技術力を土台に、スマートフォンメーカーだけでなくテスラ、さらに複数のAI・ハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）・クラウド企業からの受託生産の発注も相次いでいると述べた。4ナノ工程も、数年にわたる量産の経験が蓄積され、歩留まりと性能の双方が安定軌道に乗ったと付け加えた。ク副社長は「サムスンのファウンドリーは今後も先端工程の盤石な技術競争力を基盤に、市場シェアを継続的に拡大していく計画だ」と語った。