人工知能（AI）インフラと高帯域幅メモリー（HBM）、先端ロジック半導体への投資が増え、グローバル半導体装置市場が2028年に約340兆ウォン規模へ成長し、過去最大を記録するとの見通しが示された。
グローバル電子産業のサプライチェーン団体である国際半導体装置材料協会（Semiconductor Equipment and Materials International・SEMI）は、今年の世界半導体装置売上高が前年比23.2%増の1659億ドル（約244兆7520億ウォン）を記録する見通しだと、21日に明らかにした。
SEMIは、装置全体の売上高が2027年に2012億ドル（約296兆8300億ウォン）、2028年に2295億ドル（約338兆5810億ウォン）へ拡大すると予想した。2024年の1169億ドル（約172兆4624億ウォン）から5年連続の成長局面である。AIインフラと先端ロジック、次世代メモリー、テスト・パッケージング分野の生産能力拡充が成長を牽引すると分析した。
アジット・マノチャSEMI最高経営責任者（CEO）は「AIはより強力で効率的な半導体に対する需要を加速し、半導体装置市場全般の投資拡大を導いている」と述べ、「半導体メーカーが先端ロジックと次世代メモリー、テスト・パッケージング能力への投資を拡大するにつれ、装置支出はこれまでより高い成長経路を示すだろう」と語った。
ウエハープロセス装置とマスク・レチクル装置、ファブ施設装置を含むウエハーファブ装置の売上高は、昨年の1169億ドル（約172兆4624億ウォン）から今年は1439億ドル（約212兆2954億ウォン）へと23.1%増加する見通しだ。その後、2027年に1753億ドル（約258兆6198億ウォン）、2028年に2000億ドル（約295兆597億ウォン）へ拡大すると予想された。
アプリケーション別では、ファウンドリー・ロジック装置の売上高が今年、前年比18.9%増の780億ドル（約115兆733億ウォン）を記録した後、2028年に1047億ドル（約154兆4637億ウォン）へ拡大する見通しだ。AIアクセラレーターと高性能コンピューティング（HPC）、プレミアムモバイルプロセッサー向け先端プロセスの生産能力拡大が主要な成長要因とされた。
半導体各社が2ナノメートル（nm）ゲートオールアラウンド（Gate-All-Around・GAA）プロセスの量産段階に入ることで、関連装置投資も続くと予想された。GAAは、トランジスタのゲートが電流の流れるチャネルの四面を取り囲むように設計し、性能と電力効率を高める技術である。
メモリー装置投資もHBM需要と先端DRAMプロセスへの転換を追い風に拡大する見通しだ。DRAM装置の売上高は今年、前年比39.0%増の388億ドル（約57兆2416億ウォン）から2028年に569億ドル（約83兆9445億ウォン）へ増加すると予想された。
NAND装置の売上高は今年30.7%増の139億ドル（約20兆5066億ウォン）を記録した後、2028年に208億ドル（約30兆6862億ウォン）に達する見通しだ。三次元（3D）NANDの積層段数が高まり、高集積構造への投資が増加している点が成長要因と分析された。
後工程装置市場も成長基調を維持するとみられる。テスト装置の売上高は今年31.0%増の153億ドル（約22兆5721億ウォン）から2028年に208億ドル（約30兆6862億ウォン）へ拡大する見通しだ。組立・パッケージング装置の売上高は同期間に67億ドル（約9兆8845億ウォン）から86億ドル（約12兆6876億ウォン）へ増加すると予想された。
SEMIは、半導体素子の構造が複雑化し、先端・異種集積パッケージングが拡大するなかで、検査とパッケージング装置の需要も増加するとみている。AI半導体とHBMに求められる性能・信頼性基準が高まっている点も、関連投資を拡大する要因である。
地域別では、中国と台湾、韓国が2028年まで世界3大半導体装置投資市場の地位を維持すると予想された。中国は世界最大の装置市場を維持し、台湾はAI・HPC向け先端プロセスの生産能力拡大に投資を集中すると見込まれる。韓国はHBMを含む先端メモリー技術を中心に装置投資が増加する見通しだ。