米国のメモリー半導体企業マイクロン・テクノロジーが日本の広島工場に高帯域幅メモリー(HBM)の生産施設を建設し始めたと、ブルームバーグ通信が4日報じた。
マイクロンはこの日、人工知能(AI)演算に使用される次世代HBMをはじめとする次世代メモリー半導体を生産する工場の着工に入ったと、ブルームバーグ通信が4日報じた。総投資額は1兆5000億円(約96億ドル・約14兆ウォン)で、日本政府が最大5000億円を支援する。新施設で生産したHBM製品はエヌビディアなどに供給する予定で、2028年夏に製品を出荷する計画だ。
今回の増設は、世界的なメモリー半導体の供給難に対応するためのマイクロンの生産拡大戦略の一環である。マイクロンは米国アイダホ州ボイシとニューヨーク州シラキュースにも新規メモリー工場を建設している。先にサンジェイ・メフロトラ最高経営責任者(CEO)は「AI需要の拡大と供給制約によるメモリーの需給不足が2027年以降まで続く」と述べた。
マイクロンは2013年に破産した日本のDRAMメーカー、エルピーダメモリを買収し、広島工場を確保した。ブルームバーグは「日本は先端半導体の素材と装置分野では世界的な競争力を維持しているが、半導体完成品の生産分野では主導権を相当程度失った状態だ」と評価した。ノサカ・コウタ日本法人代表によると、マイクロンは現在、広島工場で使用する半導体素材の約80%を日本企業から供給を受けている。
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