キオクシア次世代NAND出荷 生産倍増へ

日本のNANDフラッシュ大手キオクシアホールディングスが、低消費電力・大容量の特性を備えた次世代NANDフラッシュの出荷を開始した。

3日、日本の共同通信などによると、キオクシアは最近、第10世代3D NANDフラッシュの新製品の出荷を始めた。この製品のデータ処理速度は1秒当たり4.8GB（ギガバイト）で前世代より約30%向上し、電力効率も30%改善した。

キオクシアは来年から日本の岩手県キタカミ工場の第2製造棟で当該製品を量産する計画だ。第2製造棟が本格稼働すれば、キタカミ工場の生産能力は従来比で2倍水準に拡大すると伝えられている。

新製品にはキオクシアの中核技術である「CBA（CMOS directly Bonded to Array）」が適用された。CBAはメモリーセルと制御回路（CMOS）をそれぞれ別のウエハーで製造した後に接合する技術で、データ処理性能と集積度を高められる次世代3D NANDの中核技術と評価されている。

オタ・ヒロオ社長は最近、人工知能（AI）の普及でAIサーバー向け高性能NANDフラッシュ需要が急速に増加しているとして、市場成長に対応するため生産能力の拡大に乗り出すと明らかにした。

業界では、生成AIの普及により大規模データを保存・処理する需要が増え、NANDフラッシュ市場も新たな成長局面に入ったとみている。NANDフラッシュはAI演算に用いる高帯域幅メモリー（HBM）と並び、データ保存を担う中核メモリーとして注目されている。AI需要拡大への期待感を追い風に、キオクシアは足元で日本株式市場の時価総額1位の座を巡りトヨタ自動車と競うほど企業価値が急騰した。