サムスン電子・SKハイニックス・マイクロンが米国でDラム価格の談合疑惑をめぐり集団訴訟を提起された。原告側は、この3社が人工知能（AI）向け高帯域幅メモリー（HBM）の生産拡大を名分として汎用Dラムの供給を意図的に絞り、価格を押し上げたと主張した。
29日（現地時間）、米国の情報技術（IT）メディアWccftechなどによると、米国の消費者14人と中小のPC組立・流通企業3社が25日、米カリフォルニア北部連邦地裁にサムスン電子・SKハイニックス・マイクロンを相手取り集団訴訟を起こした。事件は反トラスト訴訟に分類され、カリフォルニア北部連邦地裁のノエル・ワイズ判事に配点されたと伝えられた。
原告側は、3社が2022年からDラム供給を組織的に制限し、直近4年間で価格を約700%押し上げたと主張した。被告企業は在庫管理を名分に生産を減らしたが、実際には供給不足を誘導して価格を引き上げたとみている。
訴訟の核心争点はHBM生産拡大と汎用Dラム供給縮小の関係である。原告側は、3社がAI半導体に用いられるHBMの生産を増やす過程で、汎用Dラムの生産ラインと投資余力を制限したと主張した。HBMは複数のDラムチップを垂直に積層し、データ処理速度と電力効率を高めた高性能メモリーである。
原告側は、競争市場であれば一社が生産を減らす際に他社がシェア拡大のため生産を増やすのが一般的だが、3社は似た時期に生産を減らしたり汎用Dラムの製品群を縮小したと主張した。これを事実上の生産量調整または供給制限の談合とみなせるという論理である。
原告側は訴状で、Dラム市場がサムスン電子・SKハイニックス・マイクロン中心の寡占構造であり、米国の消費者と中小PC企業はこれら企業に依存せざるを得ないと主張した。さらに、裁判所に対し3社の供給制限行為を中止させ、損害額の3倍を賠償するよう命じてほしいと求めた。米国反トラスト法上、談合が認定されれば被害額の3倍賠償が可能である。
原告側は過去の米司法省によるDラム価格談合事件も根拠として示した。サムスン電子とハイニックス半導体は1998〜2002年に米国市場でDラム価格を談合した容疑で、2005年にそれぞれ3億ドル、1億8500万ドルの罰金を科された経緯がある。ハイニックス半導体はSKハイニックスの前身である。当時マイクロンは捜査に協力し、処罰を免れたとされる。
現在のメモリー価格上昇を過去の談合事件と同一視できるかは争点となる見通しだ。足元のDラム価格上昇は、AIデータセンター投資の拡大とHBM需要の急増、汎用メモリーの供給不足が重なった結果だとする分析が支配的である。3社も新工場や生産ラインへの投資を通じて供給拡大に動いている。
裁判所が集団訴訟の要件を認めた場合、Dラムが搭載された製品を購入した消費者や企業へと原告範囲が拡大する可能性がある。逆に原告側が3社の共謀や意図的な供給制限を立証できなければ、AI需要の急増に伴う通常の需給不均衡と判断される可能性もある。サムスン電子とSKハイニックスは訴状提出の事実を把握しており、内容を検討した上で法的手続きに従って対応する方針だと伝えられた。