グローバルのメモリー市場でサムスン電子がDRAMとNANDフラッシュの首位を守った。SKハイニックスは高帯域幅メモリー（HBM）市場で過半のシェアを維持し先頭に立った。中国勢はDRAMとNANDでシェアを引き上げ、追撃の速度を上げている。
25日、市場調査会社カウンターポイント・リサーチのメモリー市場トラッカーおよび見通しによると、今年1〜3月期のグローバルDRAM市場でサムスン電子は売上高ベースのシェア38%を記録した。SKハイニックスは29%、マイクロンは22%だった。長芯存儲科技（CXMT）は8%、南亜（ナンヤ）は2%と集計された。
サムスン電子は昨年10〜12月期の36%から今年1〜3月期に38%へとシェアを高めた。これに対しSKハイニックスは同期間に32%から29%へ低下した。両社の差は昨年10〜12月期の4ポイントから今年1〜3月期には9ポイントへ広がった。
DRAM市場の首位は昨年上半期まではSKハイニックスだった。SKハイニックスは昨年1〜3月期に36%、4〜6月期に39%を記録しサムスン電子を上回った。7〜9月期にはサムスン電子とSKハイニックスがそれぞれ33%で並び、10〜12月期からサムスン電子が首位に立った。
DRAM市場の規模も急速に拡大した。カウンターポイント・リサーチは、今年1〜3月期のグローバルDRAM市場が前期比80%、前年同期比260%成長したと明らかにした。生成AI（AI）サーバー投資の拡大と高性能メモリー需要の増加が成長を牽引したとみられる。
HBM市場ではSKハイニックスが圧倒的な首位を続けた。今年1〜3月期の売上高ベースでSKハイニックスのHBMシェアは58%だった。サムスン電子とマイクロンはそれぞれ21%で同水準だった。ただしSKハイニックスのHBMシェアは昨年1〜3月期の69%から今年1〜3月期に58%へ低下した。同期間にサムスン電子は13%から21%へ、マイクロンは18%から21%へ上昇した。SKハイニックスが先頭を守るなか、後発各社が差を縮める流れだ。
カウンターポイント・リサーチは、HBMの売上の大半が現在HBM3Eで発生しており、HBM4の納品は今年下半期に可視化すると予想した。またサムスン電子がエヌビディア向けHBM4の供給を本格化すれば、シェアを高める可能性があるとみている。
NAND市場でもサムスン電子が首位を維持した。今年1〜3月期の売上高ベースのグローバルNANDシェアはサムスン電子が29%だった。SKハイニックスは18%、キオクシアは14%だった。マイクロン、サンディスク、長江存儲科技（YMTC）はそれぞれ13%を記録した。
サムスン電子のNANDシェアは昨年1〜3月期の31%から今年1〜3月期に29%へわずかに低下したが、首位は守った。SKハイニックスは同期間に16%から18%へ上昇した。YMTCは8%から13%へ上げ、マイクロン・サンディスクと同水準まで迫った。
NAND市場は価格上昇を追い風に今年1〜3月期に前期比90%成長した。カウンターポイント・リサーチは、メモリー不足と価格上昇がYMTCのシェア拡大に影響したと分析した。
中国勢の成長も目立つ。CXMTはDRAM市場で昨年1〜3月期に3%だったシェアを今年1〜3月期に8%まで引き上げた。YMTCもNAND市場で同期間に8%から13%へ拡大した。サムスン電子とSKハイニックスの二強体制が続くなか、中国メモリー各社の低価格・内需基盤の拡大が市場の変数となっている。