李・ジェヨン サムスン電子会長が誕生日の23日も忠清南道天安事業所を訪れ、防塵服を着用してHBM(高帯域幅メモリー)の生産現場を視察した。写真は2023年2月17日に忠清南道の天安キャンパスと温陽キャンパスを訪れ、次世代パッケージの競争力や研究開発(R&D)体制、中長期の事業戦略などを点検する様子。/サムスン電子

李在鎔(イ·ジェヨン)サムスン電子会長がクリーンスーツを着用して半導体生産現場を点検した。誕生日の23日にも現場経営に臨み、高帯域幅メモリー(HBM)の競争力強化への意志を示した。

サムスン電子によると、会長はこの日、忠清南道チョナン事業所を訪れHBM生産現場を点検した。人工知能(AI)半導体市場の拡大でHBM需要が急増するなか、次世代メモリーの供給対応力と品質競争力を直接確認したものだ。

会長はチョナン事業所のC1・C2ラインを訪問し、事業所の運営状況と生産計画、技術開発の進捗状況について報告を受けた。その後、クリーンスーツを着てHBMパッケージ生産ラインを見回り、生産・品質管理体制を確認した。

チョナン事業所はサムスン電子のHBM後工程と先端パッケージングを担う中核拠点である。先端パッケージングは複数の半導体を一つに束ねて性能と電力効率を高める技術である。HBMはAIアクセラレーターの性能を左右する中核メモリーで、生成AIと高性能コンピューティング市場の拡大に伴い供給の重要性が増している。

李・ジェヨン サムスン電子会長が誕生日の23日も忠清南道天安事業所を訪れ、防塵服を着用してHBM(高帯域幅メモリー)の生産現場を視察した。写真は2023年2月17日に忠清南道の天安キャンパスと温陽キャンパスを訪れ、次世代パッケージの競争力や研究開発(R&D)体制、中長期の事業戦略などを点検する様子。/サムスン電子

今回の訪問はサムスン電子が次世代HBM市場の開拓に速度を上げる時点で行われた。サムスン電子は2月に第6世代製品であるHBM4の量産出荷に成功し、5月には第7世代HBM4Eの12層サンプルをグローバル顧客に供給した。約3カ月の間隔でHBM4の量産とHBM4Eサンプル供給が続き、次世代AIメモリーの開発と供給日程を迅速に進めているとの評価が出ている。

事業成果も表れている。業界によると、2月に量産出荷を開始したHBM4は約4カ月で累計売上が10億ドル(約1兆5339ウォン)を超えたとされる。6月末時点の累計売上は12億ドルを上回る見通しだ。

チョナン事業所の役割も大きくなっている。HBMはDRAMチップを垂直に積み上げてパッケージングする後工程の競争力が製品性能と歩留まりを左右する。チョナン事業所はサムスン電子のHBM生産拡大と品質安定化を支える拠点とみなされている。

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