サムスン電子がオンデバイス人工知能（AI）機器に合わせた次世代ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）5.0を業界で初めて開発した。UFSはスマートフォンや拡張現実（XR）機器などに使われる高性能内蔵メモリー規格である。
サムスン電子は半導体標準化機構である国際半導体標準協議機構（JEDEC）の最新内蔵メモリー規格であるUFS 5.0インターフェースを適用したメモリーソリューションを開発したと23日に明らかにした。この製品はサムスン電子の第9世代V-NANDを基盤とする。サムスン電子は今年第4四半期からこの製品の量産を開始する計画だ。
オンデバイスAIはクラウドサーバーではなく、スマートフォン・ウェアラブル・XRのような機器の中でAI演算を処理する方式である。生成型AI機能が機器内部に入ることで、ストレージも単なる保存空間を超え、AIの応答速度とデータ処理性能を左右する部品へと変わっている。
UFS 5.0のデータ転送帯域幅は1秒当たり10.8ギガバイト（GB/s）だ。シーケンシャルリード速度は10.8GB/s、シーケンシャルライト速度は9.5GB/sで従来のUFS 4.1より2倍以上速くなった。大容量データを機器内部で迅速に保存・処理する必要があるオンデバイスAI環境を狙った製品である。
電力効率も改善した。サムスン電子はクロックゲーティング（Clock Gating）とマルチ電圧（Multi Voltage）技術を適用し、電力効率を前作より40%以上高めたと説明した。クロックゲーティングは使わない回路の動作信号を遮断して電力消費を減らす技術である。マルチ電圧は回路別に適正電圧を適用して消費電力と発熱を下げる方式である。
製品サイズも小型化した。サムスン電子はUFS 5.0を横7.5㎜、縦13㎜、高さ0.9㎜のパッケージで実装した。前作より16.7%小さいサイズで、モバイルやウェアラブル、XR機器の設計に活用できる。容量は最大1テラバイト（TB）まで提供する計画だ。
チェ・ジャンソクサムスン電子メモリー事業部商品企画チーム長常務は「オンデバイスAI時代にはストレージが単なるデータ保存空間を超え、AI体験を決定する核心要素として位置付けられている」と述べ、「UFS 5.0の開発を通じて次世代モバイルストレージの新たな基準を提示する」と語った。