SKハイニックスが第7世代高帯域幅メモリー（HBM4E）12段サンプルを主要顧客に供給した。サムスン電子が先月HBM4E 12段サンプル供給を明らかにしたのに続き、SKハイニックスもサンプル供給に乗り出し、次世代AIメモリー半導体市場の競争が本格化する様相である。
SKハイニックスはHBM4E 12段サンプルを主要顧客に供給したと18日明らかにした。HBM4EはHBM4の後続製品で、AIの学習と推論に用いられるデータ処理性能を高めた超高性能DRAMである。
SKハイニックスのHBM4E 12段サンプルはピン当たり最大16Gbps（毎秒ギガビット）のデータ処理速度性能を備えた。12段積層基準の容量は48GBだ。前世代のHBM4と比べ、エネルギー効率は20%以上改善した。
HBM4Eには最新インターフェースと設計最適化も適用された。SKハイニックスはこれによりデータ伝送遅延を減らし、高帯域幅環境でも安定的な動作が可能になったと明らかにした。会社は次世代AIデータセンターと大規模コンピューティングシステムの処理効率を高められるとみている。
プロセス面ではアドバンストMR-MUF（Advanced MR-MUF）を適用した。MR-MUFは半導体チップを積層した後、チップ間の回路を保護するために液体状の保護材を注入して硬化させる工程である。SKハイニックスはこの工程により12段積層構造の安定性を高め、熱抵抗をHBM4比で約17%低減した。
熱抵抗の改善はHBMの安定性に直結する。AIサーバーと高性能コンピューティング環境では、メモリーが大量のデータを高速で処理するにつれて発熱負担が大きくなる。熱抵抗が下がれば同じ環境でも熱をより効果的に制御でき、高性能システムで安定的な動作を期待できる。
SKハイニックスはHBM3・HBM3E・HBM4へと続く量産・供給の経験を基に、HBM4Eも顧客の要求に合わせて供給する計画だ。会社は主要顧客と協業し、適期量産体制を準備し、AIシステムのデータ処理ボトルネックを減らすことに焦点を当てると明らかにした。
HBM4Eを巡るメモリー各社の競争も加速している。サムスン電子は先月HBM4E 12段サンプルをグローバル顧客に供給したと明らかにした。SKハイニックスもこの日サンプル供給を公式化し、次世代AIアクセラレーター向けメモリー市場を狙った両社の競争が続く見通しだ。
アン・ヒョンSKハイニックス開発総括社長（CDO）は「これまで積み上げてきた業界最高の技術競争力と量産能力をHBM4E製品でも継承し、AI革新を継続的にリードしていける基盤を整えた」と述べ、「パートナーとの協力を土台に市場が要求する価値を先取りして実装し、フルスタックAIメモリークリエイターとしての技術リーダーシップを盤石にする」と語った。