サムスン電子が次世代人工知能（AI）メモリーである第8世代高帯域幅メモリー（HBM5）の実物模型（モックアップ）を初めて公開し、次世代HBM市場の先取りに向けた意思を示した。
ソン・ジェヒョク サムスン電子最高技術責任者（CTO）は2日、台湾タイペイで開かれた「コンピュテックス2026」の会場で記者団に対し、「急変するAI産業に対応するためには、メモリーとファウンドリー、ロジック、パッケージングを網羅するトータルソリューションの競争力が重要だ」と明らかにした。
サムスン電子は今回の展示でHBM5モックアップを初公開し、次世代製品に適用される核心の熱管理技術である「HPB（Heat Path Block）」構造を披露した。
HPBは高性能AIメモリーの駆動過程で発生する発熱を効果的に制御するための技術である。ダイとダイの間に別途の熱伝達経路を形成し、熱抵抗を下げて放熱効率を高める方式である。
ソンCTOは「一種の煙突のような熱伝達通路を追加し、発熱をより効果的に制御できるよう設計した」と述べ、「次世代の高帯域幅・高集積AI環境でHBMの性能とシステム効率を高めるうえで重要な役割を果たすだろう」と説明した。
サムスン電子はHBM5に自社ファウンドリーの2ナノ工程で生産したベースダイを適用する計画だ。これによりメモリーとシステム半導体の力量を結合した次世代AIメモリーの競争力を強化する戦略である。
同社はすでにHBM4Eベースの製品でHPB技術の実装と検証を完了しており、HBM5から本格適用する予定である。
あわせてサムスン電子は先月、業界で初めてサンプル出荷を開始したHBM4Eのウエハーとチップセットも展示した。
HBM4Eは最先端の1c DRAMコアダイとサムスン電子の4ナノファウンドリー工程ベースのベースダイを結合した製品である。ピン当たり最大16Gbpsの速度をサポートし、毎秒4TB以上のデータ処理帯域幅を実現できる。
業界では、サムスン電子がHBM4Eに続きHBM5まで公開し、次世代AIメモリー市場の主導権確保を加速しているとの評価が出ている。