サムスン電子が人工知能（AI）半導体の中核部品である高帯域幅メモリー（HBM）の次世代製品「HBM4E」サンプルを世界で初めてグローバル顧客企業に供給した。
今年2月に第6世代HBMであるHBM4を世界で初めて量産出荷したのに続き、約3カ月で次世代製品のサンプル供給まで開始し、AIメモリー市場の主導権確保に一段と速度を上げている。
サムスン電子は29日、業界最高水準の性能を実装した「HBM4E 12段」サンプルを出荷したと明らかにした。
今回の製品はHBM4で検証済みの1c（10ナノ級第6世代）DRAMと4ナノのファウンドリー工程を併用した。設計および工程の最適化により性能を大幅に引き上げたという説明である。
HBM4Eのピン当たり動作速度は14Gbps（毎秒ギガビット）から最大16Gbpsまで対応する。これは前作HBM4比で20%以上向上した数値だ。単一スタック基準で毎秒3.6TB（テラバイト）の帯域幅を実現し、大規模言語モデル（LLM）と次世代AIシステムのデータ処理性能を高めた。
容量も拡大した。HBM4E 12段製品は48GB（ギガバイト）の大容量を実現し、前作比で30%以上増加した。今後は32GB（8段）、64GB（16段）製品までラインアップを拡大する計画である。
電力効率と発熱性能も改善した。サムスン電子は低消費電力設計とパッケージング構造の最適化により、前作比でエネルギー効率は16%、熱抵抗特性は14%以上向上したと説明した。
サムスン電子は今回のサンプル供給を皮切りに、顧客のスケジュールに合わせて本格的な量産供給に乗り出す予定である。
ファン・サンジュン サムスン電子メモリー事業部開発担当副社長は「HBM4の量産成功に続き、次世代HBM4Eのサンプル供給まで滞りなく完遂し、技術リーダーシップを改めて立証した」と述べ、「先制的な生産インフラ投資と技術の超格差を土台に、グローバルAIメモリー市場の成長を主導していく」と語った。
一方、競合のSKハイニックスもHBM4Eの発売時期を前倒ししていると伝わり、次世代HBM市場の競争は一段と激化する見通しだ。業界によると、SKハイニックスは当初今年下半期のサンプル出荷を計画していたが、開発速度が予想より速まったことから日程の調整を検討中だとされる。