SKハイニックスがiHBM公開 HBM5で適用開始

SKハイニックスが高帯域幅メモリー（HBM）パッケージ内部に冷却要素を組み込み、発熱を低減する次世代技術を公開した。

26日SKハイニックスは、一体型冷却要素であるICEをHBMパッケージに内在させた「iHBM」技術を披露したと明らかにした。ICEは電気は通さないが熱伝導率が高いシリコン素材を活用し、HBM内部に追加の放熱経路を形成する冷却要素である。

AI演算需要が拡大するなか、HBMは積層段数の拡大と高速化が進んでいる。しかし性能が高まるほど発熱も大きくなる問題が生じる。とりわけHBMベースダイとAI高速チップを接続する「D2D PHY」区間の発熱制御が次世代HBMの競争力の核心として浮上している。

SKハイニックスのiHBMはこの区間にICEを入れ、熱が逃げる専用経路を設けた点が特徴だ。これにより従来より熱抵抗を30％以上低減し、高温・高負荷環境でも安定的な動作を維持できるとしている。

量産性も検証済みである。SKハイニックスは、すでに市場で検証されたMR-MUFベースのウェハーレベルパッケージング工程を適用し、大量生産が可能だと明らかにした。さらに顧客企業の既存システムパッケージ環境との互換性が高く、大きな設計変更なしに適用できるとしている。

SKハイニックスはiHBM技術をHBM5など次世代製品から適用する計画だ。これによりAIデータセンターとハイパフォーマンスコンピューティング環境で求められる熱管理性能を高め、システム安定性と運用効率を強化する構えである。

イ・ガンウクSKハイニックス副社長は「iHBMはメモリー設計の力量と先端パッケージング技術を結合した発熱最小化ソリューションだ」と述べ、「AIメモリーのリーダーシップを一層盤石にする」と語った。