サムスン電子のDS（半導体）部門のストライキが現実味を帯びるなか、急騰基調を続けているDRAMとNANDフラッシュの価格をさらに暴騰させる第2の触媒になるとの見方が出ている。主要な市場調査会社は先に、今年第2四半期のメモリー契約価格が史上最大の上げ幅を記録すると予測していた。ストライキという供給リスクが高値圏入りの時期と重なり、市場に与える衝撃の振れ幅が想定より大きくなる可能性があるという分析だ。
15日、業界によると、サムスン電子の半導体労組のストリスクが、今年のメモリー半導体価格サイクルに第2の衝撃を与えるというシナリオが浮上している。これまで国内外の市場調査会社や投資銀行などは、今年第3四半期にDRAMとNANDフラッシュ価格がピークに達した後、今年第4四半期から徐々に安定化すると見込んでいた。しかしサムスン電子の労使合意決裂に伴うストリスクが新たな変数として浮上した。
前日、サムスン電子の半導体労組が会社側の追加交渉提案を拒否し、事実上ストライキの手続きに進む雰囲気だ。これを受け、サムスン半導体の主要顧客はリスク要因の除去に向けた事前作業に入ったとみられる。半導体業界関係者は「ストの有無に関係なく、現状自体がDRAM、NAND価格を押し上げる心理的要因になっている」とし、「メモリー不足に苦しむビッグテックやPC・スマートフォンメーカーを一段と切迫させている」と説明した。
先に主要海外メディアによると、アップル、HPなどサムスン半導体の主要顧客がストに伴う影響を問い合わせており、高帯域幅メモリー（HBM）の顧客もストの有無に注目している。サムスン電子側は主要顧客に「供給に支障が出ないようにする」として火消しに動いているが、一部顧客は依然としてストによる生産支障とDRAM、NAND価格の一段の上昇を懸念している。
キム・ドンウォンKB証券リサーチ本部長は「（サムスン半導体のストリスクは）火のついた市場に油を注ぐ格好だ」と評価した。グローバルメモリー市場は人工知能（AI）インフラ需要の爆発で供給が需要に追いつかない「構造的供給断崖」の局面に入っている。サムスン電子、SKハイニックスのDRAM生産量の相当部分がAIサーバー向けHBMに偏り、汎用DRAMとNANDの供給が減ったうえ、米国ビッグテックがAIデータセンター拡充のために大型の前受金支払い条件まで提示している状況だ。
KB証券によると、サムスン電子の半導体ストへの参加率が労組員の30〜40%に達した場合、グローバル供給の支障規模はDRAMで3〜4%、NANDで2〜3%水準に及ぶと推計されている。数値上の比率は大きくないように見えるが、現在のような供給不足下では価格暴騰をあおる決定的な触媒になり得るというのが専門家の分析だ。現在、世界のDRAM在庫は4〜6週間分の需要にすぎないとみられる。
これはメモリー価格の高値局面を当初の予想より長引かせる可能性がある。先に海外の主要投資銀行や市場調査会社は、来る第3四半期にDRAMとNAND価格がピークに達した後、今年第4四半期から徐々に安定化するというシナリオを前提に需給を予測していた。しかしサムスン電子の半導体ストが現実化すれば、ピーク時期が今年第4四半期以降にずれ込み、消費者の体感物価にも追加的な影響を与える可能性があるとの分析が出ている。トレンドフォースはメモリーの供給不足が2027年まで続くと見込んでいる。