グローバルのメモリー半導体業界が高帯域幅メモリー（HBM）と先端3次元（3D）NANDフラッシュに生産能力を総動員するなか、2D NANDフラッシュなどレガシー（旧型）製品の供給基盤が崩れている。サムスン電子とキオクシアが収益性の低い旧工程ラインを相次いで閉鎖し、マイクロンまでもが汎用品の主要な供給窓口だったコンシューマー向け事業からの撤退を宣言し、自動車の車載機器・産業用装置など長期の安定性が不可欠な市場で需給の不均衡が悪化の一途だ。
12日、半導体業界によれば、サムスン電子は3月、華城市の事業所である12ラインの2D NAND生産を段階的に停止し、当該設備を先端1c DRAM生産のための「エンドファブ（End Fab）」へ転換する作業に着手したことが分かった。月8万〜10万枚規模のウエハー生産能力を備えたサムスンの最後の2D NAND拠点が閉鎖されることで、2002年に世界初の1Gb量産で幕を開けたサムスンの2D NAND時代は24年ぶりに幕を下ろすことになった。
とりわけサムスン電子の今回の措置は、かつて市場を主導したMLC（Multi-Level Cell）NAND製品の生産終了と連動している。サムスンは既に顧客企業にMLC NANDの生産終了（EOL）を通知しており、今年6月の最終出荷をもって供給を完全に停止する見通しだ。MLCは1セルに2ビットのデータを保存する方式で、3ビット（TLC）や4ビット（QLC）方式より容量は小さいが、データ保持力と耐久性に優れる。このため、10年以上誤動作なく耐えなければならない医療機器や産業用ロボット市場で「安全弁」の役割を果たしてきたが、収益性が低いという理由で退場を迫られる格好だ。
キオクシアも脱レガシーの歩みを公式化した。キオクシアは3月、顧客企業に対し2D NANDおよび第3世代BiCSフラッシュ製品の段階的撤退計画を通知した。今年9月末まで最終注文を受け付け、2028年12月に最終出荷を完了して2029年からは市場から完全に手を引く構想だ。すでに旧型パッケージであるTSOP製品群の生産中止も並行しており、低容量NANDの需給は一段とタイトになる見通しだ。
マイクロンは既存顧客の需要を満たす水準に限ってMLC NANDの生産を維持する一方、コンシューマーブランド「Crucial」の事業終了を宣言し、供給難に拍車をかけた。これは単なるブランド整理を超え、レガシー工程のウエハー生産量を人工知能（AI）データセンター向け先端メモリーへ完全に転換するという戦略的決断である。これにより市場に供給されていた低容量の汎用NANDの数量が急速に消え、供給の断崖を深刻化させている。
問題は主要各社の離脱の速さが市場の技術転換の速度を凌駕している点だ。市場調査会社トレンドフォースは、今年の世界のMLC NAND生産能力が前年比41.7%急減すると見込んだ。とりわけサムスン電子・マイクロンなどは旧式設備を売却しながらも中核であるMLC製造技術のライセンス供与は拒んでおり、新規企業が市場に参入するのはいっそう難しい状況だ。足元では一部のSLC・MLC製品価格が1カ月で二桁以上上昇しており、MLC 64Gbのスポット価格は昨年末（約6ドル）比で最大300%以上高騰した20〜28ドル水準で取引されるなど、「パニックバイイング」現象が頂点に達している。
半導体業界関係者は「AI向け高付加価値メモリーへの資源の偏りが、実物産業の基礎であるレガシーメモリー市場を崩している」と述べ、「韓国の家電・自動車メーカーの原価負担とサプライチェーンリスクは来年まで増す」と語った。