サムスン電子は30日に開かれた2026年1〜3月期(第1四半期)決算カンファレンスコールで「今年4〜6月期(第2四半期)から次世代高帯域幅メモリー(HBM)製品である第7世代HBM(HBM4E)の試作品を主要顧客に供給する予定だ」と明らかにした。
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サムスン電子は30日に開かれた2026年1〜3月期(第1四半期)決算カンファレンスコールで「今年4〜6月期(第2四半期)から次世代高帯域幅メモリー(HBM)製品である第7世代HBM(HBM4E)の試作品を主要顧客に供給する予定だ」と明らかにした。