HANMI Semiconductorはクァク・ドンシン会長が私財で30億ウォン規模の自社株を取得したと27日に公示した。今回の買い付けは先月30日に公示した自社株取得計画の履行である。
会社によれば、取得単価は31万5407ウォンで総額30億ウォン規模だ。これによりクァク・ドンシン会長は2023年から累計565億ウォンの自社株を取得しており、クァク会長が保有したHANMI Semiconductorの持株比率は33.57%に高まった。
クァク・ドンシン会長の相次ぐ自社株取得は、グローバルHBM（高帯域幅メモリー）装置市場でTC（熱圧着）ボンダーの技術力と将来成長に対する確信と自信を市場に伝えるためである。
HANMI SemiconductorはグローバルHBM生産用TCボンダー市場のシェア1位で、HBM4量産が本格化した今年、グローバルメーカーに「TCボンダー4」の供給を先導し、市場の主導権を維持している。
年末には「ワイドTCボンダー」を発売し、次世代HBM生産を支援する計画だ。ワイドTCボンダーは従来HBMに比べダイ面積を大幅に拡張した次世代HBM生産に特化した装置で、メモリー容量と帯域幅の要求が一段と高まる次世代人工知能（AI）インフラ需要に対応する製品である。
また2029年に本格量産適用が見込まれるハイブリッドボンディング市場を狙い、「2世代ハイブリッドボンダー」プロトタイプを年内に発売する予定だ。来年上半期には「ハイブリッドボンダーファクトリー」の稼働を本格開始し、次世代半導体パッケージング市場の主導権を先手で確保する戦略である。
HANMI Semiconductor関係者は「今回の自社株取得は責任経営を実践するというクァク・ドンシン会長の強い意思表明だ」とし「グローバル半導体装置産業の『ファーストムーバー』として持続可能な成長を実現する」と述べた。