SKハイニックスが次世代高帯域幅メモリー（HBM）4Eに1cナノプロセスを適用し、性能競争力を強化する。
同社は23日、1〜3月期の業績発表後に開かれたカンファレンスコールで「HBM4Eは顧客企業との緊密な協議を土台に開発を進めており、下半期のサンプル供給と2027年の量産を目標としている」とし、「コアダイに顧客の要求性能を反映し、1cナノプロセスを適用する計画だ」と明らかにした。
SKハイニックスはこのプロセスの成熟度も強調した。同社は「1cナノは2025年末から量産に入り、すでに市場で性能を立証しており、歩留まりと量産能力も安定的な水準に到達した」と説明した。続けて「追加的な技術内製化と顧客検証を通じ、適時の開発と安定的な量産、高い品質を確保し、技術リーダーシップを維持する」と付け加えた。
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