TSMCが米日で3ナノ量産拡大しサムスン牽制

台湾TSMCが来年から台湾だけでなく米国、日本の工場でも3ナノ（ナノメートル・10億分の1m）半導体の量産を本格化するもようだ。現時点で市場需要に応えきれていない状況のなか、海外工場での量産を加速し、競合のサムスン電子を牽制する方針である。

17日、中国時報など台湾メディアによると、ウェイ・ジェジャTSMC会長は前日、今年1〜3月期の決算説明会で、生成AI（人工知能）の需要を背景に、来年から台湾、米国、日本で3ナノ工程の半導体量産に入ると明らかにした。

ウェイ会長は3ナノ新規工場の同時拡充を決定したとし、台湾南部の台南科学団地に3ナノ工場を建設して来年上半期に、米国アリゾナ第2工場は3ナノ工程を採用して来年下半期に量産を開始すると説明した。3ナノを採用する日本の熊本第2工場は2028年に量産を始める予定である。

ウェイ会長は、生成型AIからエージェント型AIへの移行に伴い先端半導体の消費が大きく増えているとし、生産能力を先手で確保して顧客企業の先端工程に対する強い需要に応える予定だと述べた。続けて、関連受注が競合（サムスン電子）に流れないよう巨額の設備投資を断行すると付け加えた。

ウェイ会長は、2ナノ工程の製品は台湾の新竹や高雄などの工場で今年10〜12月期に量産されると明らかにした。続けて、第2世代ナノシートトランジスタ構造を採用した最先端のA14（1.4ナノ）工程は2028年に量産される予定だと伝えた。