サムスン電子が業界で初めて量産したクアドラレベルセル(QLC)第9世代V-NAND製品。/サムスン電子提供

人工知能(AI)産業の成長に伴いNANDフラッシュの需要が急増するなか、サムスン電子とSKハイニックス、キオクシアなど世界のNANDフラッシュメーカーが増産に拍車をかけている。ただしサムスン電子とSKハイニックスの生産能力拡大はDRAMに先行して集中しており、キオクシアの増設も短期間で需要に対応できないとみられることから、NAND価格の上昇基調は当面続くとの見方が支配的である。

17日、市場調査会社Dラムエクスチェンジによると、NAND汎用品(128Gb 16Gx8 MLC、メモリーカード・USB用)の先月の平均固定取引価格は17.73ドルで、前月(12.67ドル)比39.95%上昇した。昨年1月の2.18ドルと比べると約8倍に増加した水準だ。AIデータセンターなどを中心に需要が急激に増加した一方で、NANDメーカーの供給がこれに追いついていない影響である。

AI産業の成長により、DRAMだけでなくNANDの供給不足も深刻化している。AIモデルを学習させ、推論能力を高度化する過程で膨大なデータを保存するため、NANDベースの企業向けSSD(eSSD)需要が急増した。ここに4〜6年周期のデータセンターサーバー更新も重なり、需要が爆発した。

しかし過去2〜3年にわたりNAND市況が低迷し、世界のNANDメーカーが減産を断行していた経緯があるため、需要対応が難しい状況だ。特にサムスン電子とSKハイニックス、マイクロンなどは、NANDよりもさらに急速に需要が爆発したDRAM生産に集中し、NANDの増設は優先順位から外れた。

市場調査会社トレンドフォースは「NAND生産能力の増加が短期的に限定的な状況でAI需要が急増し、今年一年を通じて価格の上昇基調が強く維持される」との見通しを示した。

中国・西安のサムスン電子半導体工場の全景。/News1

サムスン電子とSKハイニックスは今年、中国のNAND工場でスペース確保に注力する方針だ。サムスン電子は中国・西安1工場の工程転換投資を終えたとみられ、下半期に生産量を拡大する計画である。西安2工場はウエハー換算で月約4万枚規模の生産能力拡大を検討しているとされる。SKハイニックスは大連2工場で最大ウエハー換算・月5万枚規模の生産能力拡大に向けた新規投資を断行する見通しだ。

韓国の新規生産ラインでもスペースの確保に総力を挙げているとされる。サムスン電子の新たな生産拠点である平澤キャンパス5工場(P5)とSKハイニックスの龍仁半導体クラスター第1期ファブ(Y1)でも、NAND生産ラインを拡充する案を検討中とみられる。

半導体業界関係者は「韓国のメモリー半導体企業はDRAMと高帯域幅メモリー(HBM)の生産能力拡大を優先しているが、NAND需要も急増しており、これへの対応が急務の状況だ」と述べ、「国内外の工場で生産ラインを拡充するためのスペース確保に努めている」と語った。

キオクシアとマイクロンなど海外のNANDメーカーも生産能力拡大に手綱を締めている。日本のキオクシアは昨年から増設投資を執行し、今年は日本・四日市ファブでウエハー換算・月3万枚規模の生産能力を追加で確保する方針だ。米マイクロンが設備投資を断行したシンガポールの新規NANDファブは、今年着工を本格化し2028年に量産が進む見通しだ。

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