サムスン電子が業界で初めて量産したクアッドレベルセル(QLC)第9世代V-NAND製品。/サムスン電子提供

人工知能(AI)産業の成長でNAND型フラッシュの需要が急増するなか、サムスン電子とSKハイニックス、キオクシアなどグローバルNANDメーカーが増産投資を加速している。ただしサムスン電子とSKハイニックスの生産能力拡大は先行してDRAMに集中しており、キオクシアの増産も短期間では需要に追いつかない見通しで、NAND価格の上昇基調が当面続くとの見方が支配的だ。

17日、市場調査会社D램 익스체인지によると、NAND汎用品(128Gb 16Gx8 MLC、メモリーカード・USB向け)の先月の平均固定取引価格は17.73ドルで、前月(12.67ドル)比39.95%上昇した。昨年1月の2.18ドルと比べると約8倍に増加した数値だ。AIデータセンターを中心に需要が急速に増加する一方、NANDメーカーの供給がこれに追いついていない影響である。

AI産業の成長によりDRAMだけでなくNANDの供給不足も深刻化している。AIモデルを学習し、推論能力を高度化する過程で膨大なデータを保存するため、NANDベースの企業向けSSD(eSSD)需要が急増した。ここに4〜6年周期のデータセンターサーバー更新が重なり、需要が爆発した。

しかし過去2〜3年にわたるNAND市況の低迷で、グローバルNANDメーカーが減産を実施した経緯があり、需要対応が難しい状況だ。とりわけサムスン電子とSKハイニックス、マイクロンなどは、NANDよりもさらに急速に需要が拡大したDRAM生産に集中し、NANDの増産は優先順位で後回しとなった。

市場調査会社トレンドフォースは「NAND生産能力の増加が短期的に限定的な状況でAI需要が急増し、今年1年を通じて価格の上昇基調が強く維持される」との見通しを示した。

中国・西安のサムスン電子半導体工場の全景。/News1

サムスン電子とSKハイニックスは今年、中国のNAND工場でスペース確保に注力する方針だ。サムスン電子は中国・西安第1工場の工程転換投資を終えたとみられ、下半期に補完投資を実施する計画である。西安第2工場はウエハー換算で月約4万枚規模の補完投資を検討しているとされる。SKハイニックスは大連第2工場で最大ウエハー換算月5万枚規模の生産能力拡大に向けた新規投資を実施する見通しだ。

韓国国内の新規生産ラインでもスペース確保に総力を挙げているとされる。サムスン電子の新規生産拠点である平澤キャンパス第5工場(P5)と、SKハイニックスの龍仁半導体クラスター第1期ファブ(Y1)でもNAND生産ラインを拡充する案を検討中とみられる。

半導体業界関係者は「韓国のメモリー半導体企業はDRAMと高帯域幅メモリー(HBM)の生産能力拡大を優先しているが、NAND需要も急増し、これへの対応が急務だ」と述べ、「国内外の工場で生産ラインを拡充するためのスペース確保に努めている」と語った。

キオクシアやマイクロンなど海外のNANDメーカーも生産能力拡大に拍車をかけている。日本のキオクシアは昨年から増産投資を執行し、今年は日本・四日市ファブでウエハー換算月3万枚規模の生産能力を追加確保する方針だ。米マイクロンが設備投資を行ったシンガポールの新規NANDファブは今年着工を本格化し、2028年に量産に入る見通しだ。

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