サムスン電子が第7世代の高帯域幅メモリー（HBM）である「HBM4E」の開発を加速している。来月、目標性能に到達した最初のHBM4Eサンプルの開発を完了する計画だと伝わる。サムスン電子はこれを踏まえ社内検証を終えた後、顧客企業に納品する方針だ。最近、第6世代HBM（HBM4）の業界初の量産出荷を正式発表したなか、次世代HBM市場まで先取りする戦略である。
16日、業界によると、サムスン電子は来月HBM4Eの最初のサンプルを生産する計画だという。前世代比で性能を大幅に改善したHBM4Eの頭脳を担うロジックダイのサンプルを来月中旬までにファウンドリー（半導体受託生産）事業部で生産してメモリー事業部に渡し、これをHBM4E用DRAMと合わせてパッケージングしサンプルを製造する方針だ。サムスン電子は社内の性能評価を経て目標水準に到達したサンプルをエヌビディアに納品する見通しだとされる。
先にサムスン電子は今年3月、エヌビディアの年次最大開発者カンファレンス「GTC 2026」でHBM4Eの実物を公開した。ただし業界では、当該製品は展示用のサンプル水準だという見方が支配的だ。サムスン電子はエヌビディアなど顧客企業が要求する性能基準を満たした有意な水準のサンプルはまだ製造できていないようだ。
サムスン電子はHBM4Eの開発を加速し次世代HBM市場を先取りする計画だ。先にサムスン電子はHBM4で競合他社に対し先端プロセスを適用する勝負手を打ち、業界初の量産出荷に成功したと明らかにしている。HBM4のロジックダイとHBM4用DRAMはいずれも競合のSKハイニックスやマイクロンに比べ先行プロセスを活用し、性能で優位を占めたというのが会社側の説明だ。現在は収益性の向上に向け総力を挙げていると伝わる。
サムスン電子はHBM4EにHBM4と同様、ロジックダイには4ナノのファウンドリプロセスを、DRAMには10ナノ級第6世代（1c）プロセスを適用する。性能向上のための一部の詳細プロセスが新たに適用され完全に同一のプロセスではないが、HBM4Eで初めてファウンドリーの先端プロセスと1c DRAMを活用する競合と比べれば、技術的に安定しているとの評価が出ている。
一方、SKハイニックスもHBM4Eの開発に総力を挙げているとされる。SKハイニックスはHBM4EにHBM4用DRAMより一世代先行するDRAMを適用し、ロジックダイにもTSMCの3ナノ適用を最優先で検討しているという。先にSKハイニックスはHBM4のロジックダイにTSMCの12ナノプロセスを、HBM4用DRAMには10ナノ級第5世代（1b）を活用した。HBM4では検証済みプロセスを活用して事業の安定性に重点を置いたとすれば、HBM4Eでは性能でも優位を占めるための戦略を策定したとみられる。
半導体業界の関係者は「HBM4とHBM4Eが搭載されるエヌビディアのAIチップ、ベラ・ルビンシリーズの発売がやや遅延し生産量が一部調整されているが、サムスン電子は前世代で競合に市場を明け渡した失策を繰り返さないよう、次世代市場に注力している」と語った。