HANMI SemiconductorがTCボンダー特許でハンファセミテック提訴に反撃

HANMI Semiconductorは最近、ハンファセミテックとの特許訴訟に関連して「元祖技術の価値を毀損する試みだ」と指摘した。

会社側によると、HANMI Semiconductorは2016年、HBM（高帯域幅メモリー）生産の核心装置である熱圧着（TC）ボンダを世界で初めて開発を完了し、2017年に業界で初めて顧客に供給して市場標準を確立した企業である。現在、グローバルのTCボンダ市場シェアで1位を記録しており、2002年から知的財産権の強化に注力してHBM装置関連の特許を出願予定を含め163件保有している。

HANMI Semiconductorは、ハンファセミテックが提起した訴訟を、グローバル市場で認められた元祖技術の正当な価値を毀損する試みと規定した。とりわけ、元祖の技術力を持つ先導企業に向けた後発の事業者の根拠のない法的攻勢が、業界の技術革新エコシステムを阻害しかねない点でも強い懸念を示している。

これに対しHANMI Semiconductorは積極的な法的対応に乗り出す方針だ。HANMI Semiconductorは、当該特許に対する非侵害の事実が明白であるため、訴訟を迅速に終結できる「特許無効審判」などの迂回的な戦略ではなく、本案訴訟の終結を推進している。HANMI Semiconductorは、ハンファセミテックが主張する特許について先使用権資料と無効資料を十分に確保した状態だと会社側は説明した。

会社関係者は「法的手続きを通じて正当な権利を最後まで保護し、外部企業のいかなる技術奪取の試みにも断固として対応する」と強調した。