SKハイニックスが今月から清州に位置するM15X新工場で最先端DRAMの量産物量を本格的に拡大する。M15Xは来年までにSKハイニックスが高帯域幅メモリー（HBM）生産物量を増やす中核拠点になるという観測が出ている。全体の生産規模は中国・無錫、韓国・利川の工場に比べてまだ少ないが、先端プロセス装置を大挙投入しランプアップ（本格稼働）時期を前倒しして超好況期の収益を最大化する方針だ。
10日、業界によるとSKハイニックスのM15X工場は今月からウェハー（半導体原板）投入量を月平均1万枚水準から段階的に増やし、来年には最大値である月平均8万枚まで拡大する予定だ。特に今年の装置搬入とセットアップの速度を踏まえると、年内に当該ラインで月平均3万枚から最大5万枚水準を消化する見通しだ。日程も当初予定より約2カ月前倒しした格好だ。M15Xで生産されるDRAMは大半が第6世代HBM（HBM4）をはじめとする高収益製品に割り当てられ、一部はサーバー向け高性能DRAMに活用される見通しだ。
M15XはSKハイニックスが約20兆ウォンを投資して既存のM15工場を拡張した新規DRAM生産拠点だ。2027年に竣工予定の竜仁半導体クラスター内の第1ファブ（工場）の完成前まで、M15Xで次世代HBM需要への対応に乗り出す。竜仁半導体クラスターのファブは実質的な稼働がまだ不透明な状況で、業界では来年の稼働を見込むが、SKハイニックス内外では自治体やインフラの問題などから2028年以降が有力だとみている。これにより生産設備の拡張に限界があるSKハイニックスとしては、竜仁クラスター稼働以前まではM15XがDRAM生産能力拡大の唯一の砦だ。
M15Xは最先端DRAMを量産するのに必要な極端紫外線（EUV）露光装置が大挙投入された最先端ラインである。業界ではM15Xに12兆ウォン規模のEUV装置を投入したとされる。当該ラインで主力として生産される10ナノ第5世代級（1b）DRAMは、HBMを含むサーバー・PC・モバイル向け高性能DRAM製品の比重を高めることに寄与するとみられる。
M15X工場がフル稼働に入る場合、ウェハー生産量の観点でSKハイニックスのDRAM生産量は10〜15%増加する見通しだ。ただし先端プロセスに特化したラインであるため、HBMの供給能力・売上ミックス・収益性の面でより大きく寄与するというのが大方の見方だ。先にSKハイニックスも決算カンファレンスコールでM15XをHBM最適化拠点と強調しており、崔泰源（チェ・テウォン）SKグループ会長もHBMは一般DRAMよりはるかに多くのウェハーを消費すると説明した点を踏まえると、大多数の物量がHBM覇権強化に活用される公算が大きい。
中国・無錫と利川を中心に回っているSKハイニックスのDRAM生産シナジーが清州へ拡大するという意味も大きい。M15X工場は既存のM15工場と隣接する位置にあり、M15がシリコン貫通電極（TSV）装置への投資を拡大中でHBM生産の最適化に有利だという話だ。TSVはシリコンインターポーザーを基盤に垂直電気接続を実現する技術で、HBMのようなメモリー生産に不可欠だ。M15とM15Xを中心に清州ファブがTSV後工程・今後の清州パッケージング投資と相まってHBMハブの一つとして浮上するという見方だ。
SKハイニックスに精通する関係者は「M15XはSKハイニックス全体のDRAMウェハー生産能力を最大20%近く引き上げることができる増設カードだが、より本質的な意味は数字そのものよりHBM向け先端DRAMのボトルネックを解消する工場である点にある」と述べ、「単純な増産効果だけでなく、竜仁工場稼働以前の空白を埋め、競合とのHBM市場覇権競争に迅速に対応することが目的だ」と説明した。