HANMI Semiconductorは2029年に本格量産適用されるハイブリッドボンディング需要に歩調を合わせ、先制的に対応すると9日明らかにした。
HANMI Semiconductorは次世代HBM生産のための「第2世代ハイブリッドボンダー」プロトタイプを年内に発売し、顧客企業との協業に乗り出す。あわせて来年上半期にハイブリッドボンダーファクトリー稼働を控えている。
HANMI Semiconductorハイブリッドボンダーファクトリー鳥瞰図（写真=HANMI Semiconductor）
先立ってHANMI Semiconductorは競合他社に先んじて2020年に「第1世代HBM生産用ハイブリッドボンダー」を発売し、核心技術と検証ノウハウを蓄積してきた。第2世代装置は第1世代の開発経験と基盤技術を集約し、ナノメートル単位の精密度、プロセス安定性、歩留まりなど完成度を一段と高めて開発した。
またHANMI Semiconductorはハイブリッドボンディングに関連して、韓国内の複数の半導体装置企業とプラズマ、クリーニング、成膜技術で緊密に協力している。
ハイブリッドボンディングはチップとウエハーの銅（Cu）配線を直接接合する技術である。従来のはんだバンプ（Solder Bump）を取り除いてパッケージ厚を減らしつつ放熱性能とデータ転送速度を高めることができ、20段以上の高積層HBMで必要とされている。
HANMI Semiconductorは次世代装置生産のためのインフラ構築にも速度を上げている。インチョン広域市ソ区ジュアン国家産業団地に総1000億ウォンを投資し、延べ面積4415坪（1万4570.84m2）、地上2階規模でハイブリッドボンダーファクトリーを昨年から建設中で、来年上半期の完工を目標とする。
ファクトリー内には半導体前工程に準じる最高水準の「100クラス（Class 100）」クリーンルームが構築される予定だ。当該クリーンルームは空気中の塵を上部から床面へ押し出し、壁面と床から即時に吸引する先端空調技術を適用し、ナノメートル単位の超精密工程にふさわしい清浄環境を実現する。
HANMI Semiconductorは業界1位であるTCボンダー供給も盤石にする計画だ。国際半導体標準協議機構（JEDEC）がHBMパッケージ高さ基準を従来の775㎛から900㎛水準へ緩和する案を検討しており、ハイブリッドボンディングの本格的な量産導入時点は2029〜2030年頃と見込まれる。
それ以前までHANMI SemiconductorはHBMダイ面積を広げた「ワイドTCボンダー」を今年下半期に発売し、市場需要に対応する計画だ。「ワイドTCボンダー」はTSV（シリコン貫通電極）の数とI/O（入出力インターフェース）の数を安定的に増やすことができ、従前技術に比べメモリー容量と帯域幅を拡張できる。
これとあわせてHANMI SemiconductorはTCボンダーで安定的な収益を維持すると同時にハイブリッドボンダーの完成度を高める「ツートラック」戦略を展開する計画である。
HANMI Semiconductor関係者は「HBM用TCボンダー1位のノウハウをHBM用ハイブリッドボンダー技術に適用した」と述べ、「顧客企業が次世代HBM量産に着手する時点に、完成度の高い装置を適期に供給する」と明らかにした。