SKハイニックスHBM5でハイブリッドボンディング早期導入し29年投入へ

SKハイニックスが2029年の第8世代高帯域幅メモリー（HBM）であるHBM5の発売に向け、ハイブリッドボンディングを早期導入したとの分析が出た。

6日、市場調査会社カウンターポイント・リサーチによると、SKハイニックスはアプライド・マテリアルズとBEセミコンダクター・インダストリーズ（BESI）の統合ハイブリッドボンディングソリューションを早期導入した。これにより、帯域幅・レイテンシー・電力・速度など多様な性能要件を満たす戦略的優位を確保しているとみている。

カウンターポイント・リサーチは、HBMでは国際半導体標準協議機構（JEDEC）の基準緩和により最大16段までの熱圧着ボンディング（TCB）の使用が可能だが、エヌビディアなど主要企業が高い帯域幅と効率性を要求しており、長期的にはハイブリッドボンディングの導入が不可避となる状況になると展望した。これにより、サムスン電子・SKハイニックス・マイクロンなど主要メモリー半導体企業が次世代AI需要への対応のため、HBM4以降からハイブリッドボンディング導入を推進しているという。ハイブリッドボンディングはダイ間隔と積層高さを減少させ、グラフィックス処理装置（GPU）パッケージの物理的高さと集積上の制約を低減できる。

カウンターポイント・リサーチは「HBM5がハイブリッドボンディングの実質的な転換点になる」としつつ、「SKハイニックスが次世代AI GPUサイクルに合わせて2029〜2030年ごろHBM5を発売すると予想する」と述べ、「ハイブリッドボンディング装置の導入はHBM市場のリーダーシップを維持するうえで重要な戦略的優位を提供すると期待される」とした。