サムスン電子とSKハイニックスのサーバー向けDRAM価格が今年1四半期に続き2四半期にさらに急伸している。高帯域幅メモリー（HBM）への偏重現象で供給が不足した汎用サーバー向けDRAMの営業利益率が最先端製品であるHBMを上回る異例の状況に至ったためだ。
クラウドをはじめ一般サーバーを運用するアマゾンウェブサービス（AWS）などビッグテック各社が、当面のサーバー運用に必要なメモリーを確保するためコスト悪化を甘受しプレミアムを上乗せしているとの話が出ている。こうした供給者優位の状況を足場に、サムスン電子とSKハイニックスはメモリー供給物量と価格を保証する3〜5年の長期供給契約（LTA）を顧客企業と協議している。
25日、業界によるとサムスン電子とSKハイニックスの2四半期サーバー向けDRAM契約価格が前四半期比で30〜40%以上急騰している。とりわけサーバー向けDRAM市場で米マイクロンより強い影響力を行使してきたサムスン電子とSKハイニックスのサーバー向けDRAM価格が右肩上がりだという説明だ。これを受け、国内外の投資銀行と証券会社は両社のサーバー向けDRAM営業利益率が従来の50〜60%を超え最大80%水準を上回ると見ている。
現在のAIメモリー市場の中心はHBMであり、主力製品の第5世代HBM（HBM3E）の推定営業利益率が60%台である点を踏まえると、サーバー向けDRAMの供給不足がいかに深刻か推し量れる。サムスン電子に詳しい関係者は「現在のグローバル半導体市場で最も高価な製品を挙げれば断然HBMだが、最も収益性が高い製品は汎用DRAMだ」と述べ、「先に両社が昨年4四半期の業績カンファレンスコールで明らかにした通り、汎用DRAMの収益性がHBMを逆転するシナリオが現実化した」と説明した。
業界では、このような歪な汎用DRAM市場の需給構造が来年まで続くと見ている。時間の経過とともに値上がり幅はやや緩和し得るが、供給不足の状態は続くということだ。最大の理由は、サムスン電子、SKハイニックスのDRAM増産ペースが市場需要に比べて遅く進んでいるためだ。これに対しAIデータセンター投資と高性能サーバー向けDRAM需要は継続的に拡大している。
市場調査会社トレンドフォースは、3大メモリー各社の設備投資が当面は意味のある増産効果を出しにくく、サムスン電子とマイクロンの追加生産能力も2027年下半期までは市場に実質的に寄与しにくいと見ている。通常、メモリー半導体は設備投資から生産まで約1〜2年を要する。先にロイター通信は、メモリー各社のAIサーバー向けHBM生産にDRAMが集中し、汎用DRAM供給が圧迫されていると伝えたことがある。
増産が遅れる背景には物理的制約もある。先に崔泰源（チェ・テウォン）SKグループ会長は、HBMの生産には多くのウエハーが必要で、ウエハー供給を増やそうとしても最短で4〜5年かかると述べたことがある。海外工場の新設も電力と用水、建設条件、エンジニア確保が先行しなければならず、即応できる構造ではないという説明だ。SKハイニックスは今年、DRAMウエハーの相当量がHBMに割り当てられると予想し、マイクロンのアイダホ第2工場も2027年になってようやく稼働する予定だ。