SKハイニックスがASMLのEUV導入で1c DRAM量産拡大

SKハイニックスが12兆ウォン規模のEUV（極端紫外線）装置を導入し、先端メモリー半導体の生産能力拡大に一段と弾みをつける。

24日SKハイニックスは、オランダの装置メーカーであるASMLからEUVスキャナーを導入することを決定したと公示した。総取得金額は約11兆9,496億ウォンで、2024年末基準の資産総額の9.97%に当たる。取引は2027年12月まで約2年にわたり進め、装置の導入と設置・改造費用が含まれる金額である。

今回の投資は、AI産業の成長に伴い大幅に増加している先端メモリー半導体需要に対応するためである。SKハイニックスはサーバー・モバイルなど前工程産業で汎用メモリー需要も堅調に増加している点を踏まえ、供給の安定化に注力する方針だ。とりわけEUV装置の導入を通じて、10ナノ級6世代（1c）DRAMへの工程転換を加速する計画である.

1c工程はSKハイニックスが世界で初めて開発した技術で、次世代HBMとDDR5、LPDDR6など主要製品群に適用される。先立ってSKハイニックスは1c DDR5 DRAMとLPDDR6製品を相次いで開発した経緯がある。同工程は生産性と電力効率を向上させ、データ処理速度を高めることが特徴である。