SKハイニックスが第7世代高帯域幅メモリー（HBM）であるHBM4Eの頭脳を担う「ロジックダイ」に、TSMCの3ナノメートル（㎚・10億分の1m）プロセスを主力として活用する案を有力に検討していると伝わった。HBMに積層されるDRAMだけでなく、HBMの演算処理を担うロジックダイに先端プロセスを適用し、性能で優位を確保する狙いとみられる。今年量産されるSKハイニックスのHBM4（第6世代HBM）はサムスン電子と比べ、一部性能で劣るとの評価を受けているとされる。
20日、業界によると、SKハイニックスはHBM4Eに積むDRAMである「コアダイ」には10ナノ級第6世代（1c）DRAMプロセスを活用し、ロジックダイにはTSMCの3㎚プロセスを適用する方針だと伝えられた。SKハイニックスが今年エヌビディアに供給するHBM4には、10ナノ級第5世代（1b）DRAMのコアダイとTSMCの12㎚プロセスが適用されたロジックダイを活用する。サムスン電子はHBM4に10ナノ級第6世代（1c）DRAMプロセスで作ったコアダイと4㎚プロセスを活用したロジックダイを搭載した。
SKハイニックスは次世代HBMに微細プロセスを適用して性能を大幅に引き上げる戦略だ。半導体プロセスは世代を重ねるごとに微細化が進む。微細プロセスを適用すれば半導体回路の線幅が縮小し、電子が移動する距離を短縮できるため動作速度を高め、動作に必要な電圧を下げて電力効率を向上できる。
SKハイニックスはHBM4市場でエヌビディアに最も多くの物量を供給して市場首位の座を固めたとされるが、サムスン電子と比べ性能では劣ったとの評価を受けていると伝えられている。サムスン電子はHBM4でSKハイニックスより進んだ先端プロセスを適用し、性能で優位を示し業界初の量産出荷を行ったと明らかにした経緯がある。
SKハイニックスはHBM4Eではこうした評価を覆すため、ロジックダイに3㎚プロセスを用いる勝負手を打ったとみられる。HBM4では安定性に集中するため検証済みプロセスを活用したとすれば、HBM4Eでは性能まで圧倒し技術競争で優位を確保する布石である。
HBM4Eからは、ロジックダイを顧客が望む形の回路で設計して提供する「カスタムHBM」市場が本格的に開花すると予想され、ロジックダイにも多様なファウンドリー（半導体受託生産）プロセスが適用される可能性も取り沙汰されるが、SKハイニックスは3㎚プロセスを主力で活用する案を推進中とみられる。エヌビディアなど供給物量が大きい顧客には最も性能の良い製品を供給する計画だ。エヌビディアの次世代AIチップ「ベラ・ルビン」の最上位版であるベラ・ルビン・ウルトラにHBM4Eが適用される。
半導体業界関係者は「カスタムHBM4Eの場合、顧客が望む形でロジックダイを製造するだけに3㎚や12㎚などが多様に検討されている」と述べ、「ただし、市場で最も大きな比重で供給されるHBM4Eのロジックダイには3㎚プロセスを主力で使うことになるだろう」と語った。
一方、エヌビディアだけでなくAMDとグーグルも次世代AIチップにHBM4Eを搭載すると明らかにしており、HBM4Eを巡る競争も一段と激化するとみられる。半導体業界関係者は「サムスン電子がHBM4Eをエヌビディアの年次最大開発者カンファレンスGTC 2026で公開し、次世代市場を先取りする意志を示した」と述べ、「SKハイニックスは次世代HBMでは性能までも圧倒するという戦略とみられる」と語った。