サムスン電子が米国で開催されるエヌビディア開発者会議（GTC）2026で、次世代高帯域幅メモリー（HBM）である第7世代HBM（HBM4E）の実チップを初公開する。世界最大の人工知能（AI）エコシステム行事で次世代HBM技術を競合他社に先駆けて披露し、エヌビディアの次世代AIチップ供給網で存在感を高めようとする動きと受け止められる。
サムスン電子は16日から19日（現地時間）まで米国カリフォルニア州サンノゼで開かれるエヌビディアGTC 2026に参加し、HBM4Eチップとコアダイウエハーを公開すると明らかにした。今回の展示では2月に業界で初めて量産出荷に成功したHBM4製品も併せて紹介された。
HBM4EはHBM4の後継製品で、性能を大幅に高めた次世代高帯域幅メモリーである。サムスン電子は1c DRAMプロセスと4ナノベースのベースダイを適用し、ピン当たり最大毎秒16ギガビット（Gbps）の速度と最大4TB/sの帯域幅を支援するHBM4Eを開発中だ。
現在のAI向けHBM市場では、SKハイニックスがHBM3Eを中心にエヌビディアの供給網で先行しているとの評価が多い。ただし今回のGTCでサムスン電子は次世代技術であるHBM4Eを先制公開し、競合他社に比べ速い開発速度を誇示した。
AI半導体市場の世代交代もHBM4の登場とともに本格化する雰囲気だ。サムスン電子は先月HBM4を世界で初めて量産出荷し、次世代HBM競争で反撃に出た。HBM4は既存のHBM3Eに比べ速度と電力効率が大きく向上した製品で、次世代AI GPUに搭載される中核メモリーと位置づけられる。
SKハイニックスもHBM4への移行を準備中だが、サムスン電子が量産時期を前倒しし、技術格差を素早く縮める様相だ。マイクロンはHBM3E製品を中心にAIメモリー市場を攻略しているが、HBM4の開発日程では韓国企業よりやや遅れていると評価される。
AI半導体競争がGPU中心からメモリーとパッケージングを含むシステム競争へ拡大している点も注目される。とりわけエヌビディアの次世代AIプラットフォーム「ベラ・ルビン（Vera Rubin）」はGPUとCPU、メモリー、ストレージが一つのシステムとして統合される構造で、同プラットフォームに採用される供給企業は次世代AIデータセンター市場で安定的な需要を確保する可能性が大きい。メモリーとファウンドリー、パッケージングの能力を同時に保有するサムスン電子が、こうした変化の中で競争力を確保できるとの分析が出ている。
サムスン電子は今回の行事で「HBM4ヒーローウォール（Hero Wall）」展示を通じ、メモリーとファウンドリー、パッケージング技術を結合した半導体開発能力を紹介した。あわせてベラ・ルビンプラットフォームに適用される▲ルビンGPU用HBM4 ▲ベラCPU用ソキャム（SOCAMM）2 ▲サーバー向けSSD PM1763などを同時に展示し、エヌビディアAIプラットフォームを構成するメモリーソリューションを公開した。
行事2日目にはエヌビディアの特別招請でソン・ヨンホサムスン電子AIセンター長が発表者として登壇する。ソンセンター長はエヌビディアの次世代システムを支援するサムスンのメモリー戦略とAIインフラ技術の方向性を紹介する予定だ。
半導体業界関係者は「既存のHBM3E市場ではSKハイニックスが先行していたが、サムスン電子がHBM4の世界初量産に続きHBM4Eまで公開し、次世代競争が本格化する雰囲気だ」と述べ、「GPU中心だった競争がメモリーとパッケージングまで含むシステム競争へ拡大し、サムスンの競争力が浮き彫りになっている」と語った。