中国の民族の大名節である春節の前後に、汎用DRAMとNANDの価格が最大で3倍近く急騰するなど、メモリー半導体の供給不足が深刻化している。業界では、このようなメモリーショーティジ（供給不足）が少なくとも来年下半期まで続く可能性があるとの見方が出ている。
12日、市場調査会社カウンターポイントリサーチはオンラインウェビナーを通じてこのような分析を示した。カウンターポイントリサーチによると、春節前後で64GBサーバー用DRAMモジュール（RDIMM）DDR5の価格は前四半期比で150%上昇した。モバイル向け12GB LPDDR5Xは130%、ノートパソコンなどに使われる汎用8GB SO-DIMM DDR4は旧製品であるにもかかわらず180%急騰した。NAND製品群も130〜150%上昇し、異例の価格急騰局面を示した。
このような供給不足は短期間では解消が難しいとの分析である。業界が年間80兆〜90兆ウォン規模の設備投資（CAPEX）を執行しているものの、急増する需要に追いつくには力不足という説明だ。
ファン・ミンソンカウンターポイントリサーチ研究委員は「今年サムスン電子、SKハイニックス、マイクロン、創新メモリ（CXMT）、ナンヤテクノロジーなど主要DRAM企業の生産量は約26%増加し、NANDは24%増えると予想される」としつつも、「2027年下半期前までは意味のある供給拡大が難しく、供給不足の解消時点は2027年下半期末になる可能性が高い」と述べた。
このような環境下で、今年の高帯域幅メモリー（HBM）市場では、シェア争いよりも収益性の競争が主要テーマになるとみられる。カウンターポイントリサーチによると、昨年はSKハイニックスがHBMの出荷量と売上高ベースで約60%のシェアを握り市場を主導したが、今年はシェアが一部低下する可能性が指摘される。
ファン研究委員は「HBM4市場ではサムスン電子の躍進が見込まれる」とし、「SKハイニックスはエヌビディア向けHBM4製品の設計を一部修正する必要がある状況に置かれており、これをどれだけ早く正常化できるかがカギになる」と説明した。
また、メモリー企業が収益性を最大化するため、カスタムHBMなどの特注AI半導体（ASIC）の生産を一部縮小し、汎用メモリー生産に集中する戦略を選択しているとの分析も出た。ファン研究委員は「ハイパースケーラー（大手クラウド事業者）のメモリー需要は依然として強いため、今年下半期も価格が大きく下落する可能性は低い」と述べた。
中東地域の地政学的リスクが短期的にメモリー価格に与える影響は限定的とみられる。ただし、長期的にエネルギー価格の上昇が続く場合、データセンターの運用コスト増加や資本コストの上昇などを通じて半導体価格の上昇圧力につながる可能性があるとの見方だ。
一方、業界では長期的に中国メモリー企業の台頭が最大の変数として挙げられる。ファン研究委員は「中国DRAM企業の創新メモリの市場シェアは2028年に10%以上へ拡大する可能性があり、中国NAND企業の長江存儲（YMTC）のシェアはすでに13%水準に達した」とし、「過去は台湾企業と競争していたが、今は莫大な補助金と巨大な内需市場を持つ中国企業と競争しなければならない状況だ」と述べた。