SKキーファウンドリーは11日、シリコンカーバイド（SiC）プレーナ型MOSFET（Planar MOSFET・平面構造のパワー半導体デバイス）の開発を完了したと明らかにした。これを基盤に新規顧客から1200ボルト（V）SiC MOSFET製品の開発を受注した。
SKキーファウンドリーのSiCプレーナ型MOSFETプロセスプラットフォームは、450ボルト〜2300ボルトの幅広い電圧帯をサポートする。会社側は「高電圧動作環境で高い信頼性と安定性のデータを確保し、卓越した性能を立証した」とし、「プロセス全般にわたる最適化とコアプロセスの精密制御により歩留まり（良品率）を90％以上に高め、生産性を引き上げた」と伝えた。続けて「顧客の要求に合わせて電気的特性と規格をきめ細かく調整できる差別化された『顧客カスタム型プロセス対応サービス』を提供する」と述べた。
SKキーファウンドリーは、SiC専門設計の顧客から1200ボルト級製品を受注し、開発に着手した。該当プロセスは顧客の産業用家電に適用され、熱効率管理で中核的な役割を担う予定だ。試作品評価と信頼性検証を経て、2027年上半期内に本格量産に入る計画である。
SKキーファウンドリーは、SiC専門企業のSKパワーテックを買収後、両社のコアコンピタンスを結集してSiCプレーナ型MOSFETプロセスプラットフォームを開発したと伝えた。イ・ドンジェSKキーファウンドリー代表は「今回のSiCプレーナ型MOSFETプロセスプラットフォーム開発は、SKキーファウンドリーがグローバル化合物半導体市場で独自の技術的リーダーシップを確保したことを示す成果だ」とし、「差別化された高歩留まりと信頼性のプロセスを基盤に、国内外の顧客の要求に応える高電圧パワー半導体ソリューションを継続的に拡大していく」と語った。