サムスン電子が昨年、研究開発（R&D）に37兆ウォン超を投じ、過去最大規模の投資を断行したことが分かった。人工知能（AI）半導体競争が激化するなか、次世代高帯域幅メモリー（HBM4）をはじめとする中核技術の主導権を確保するための先行投資と解釈される。
10日サムスン電子が公示した2025年事業報告書によれば、昨年のR&D費用は37兆7,548億ウォンだった。前年（35兆215億ウォン）より7.8%増加した数値で、年間ベースで過去最大規模である。売上高に対するR&D比率は11.3%で、前年（11.6%）と同水準を維持した。同期間、サムスン電子は国内特許1万639件、米国特許1万347件を確保し、技術資産も拡大した。
業界では、サムスン電子が今年本格化する第6世代高帯域幅メモリー（HBM4）競争を前に、関連技術開発に大規模投資を集中したと見ている。サムスン電子は競合より一歩先行する10ナノ級第6世代（1c）DRAM工程を適用したHBM4を基盤に、先月世界で初めて量産出荷に踏み切り、市場の注目を集めた。この製品はエヌビディアの次世代人工知能（AI）チップ「ベラ・ルービン」に搭載される予定だ。
サムスン電子は「DRAMはAI市場における新規グラフィックス処理装置（GPU）と特定用途向け集積回路（ASIC）の需要に対応し、性能競争力を備えたHBM4の供給を拡大する計画だ」とし、「大容量DDR5、SOCAMM2、GDDR7などAI連携製品の比重も継続的に拡大していく」と明らかにした。
メモリー以外の領域でも次世代技術の開発が続いている。サムスン電子は昨年、業界で初めて24Gb GDDR7 DRAMと10ナノ級第6世代サーバー向けDRAMの量産に成功した。非メモリー部門では、ファウンドリー事業部が今年下半期の2ナノメートル（㎚）工程量産を目標に開発を進めている。システムLSI部門はモバイル用アプリケーションプロセッサ（AP）「エクシノス2600」の性能を改善し、前作比で中央処理装置（CPU）の演算性能を最大39%引き上げた。
一方、昨年のサムスン電子主要製品のグローバル市場シェアは全般的に上昇した。テレビのシェアは29.1%で、前年（28.3%）から拡大し、スマートフォンも18.3%から19.2%へ増加した。ただしDRAM市場シェアはHBM3E（第5世代）の販売不振の影響で41.5%から34%へ低下した。