ASMLが近く次世代極端紫外線（EUV）装置であるハイNA EUV装置の量産に乗り出すと伝わった。ハイNA EUV装置は1ナノメートル（㎚・10億分の1m）級のファウンドリー（半導体受託生産）工程に適用されるとされ、ファウンドリー各社の1㎚工程競争が本格化する見通しだ。
26日（現地時間）ロイターは「ASMLが次世代半導体製造設備（ハイNA EUV）を量産する準備を完了した」とし、「（ASMLのハイNA EUV装置は）技術的には準備が整っているが、企業がこれを製造工程に統合するためのテストと開発を完了するには2〜3年かかるだろう」と報じた。マルコ・ピーターズASML最高技術責任者（CTO）はロイターのインタビューで「現在ハイNA EUV生産ラインの稼働率は80%水準で、年末には90%に達する」と述べた。
EUV装置はウエハーに超微細回路パターンを描く露光工程に必須で投入される。ハイNA EUV装置は従来EUV装置よりレンズの開口数（NA）を0.33から0.55に高め、半導体回路をより精密かつ鮮明に描けるようにする。ハイNA EUV装置は1台あたりの価格が5000億ウォンを上回り、従来EUV装置比で価格が2倍以上高いとされる。EUV装置とハイNA EUV装置はいずれもASMLが独占供給している。
TSMCとインテル、サムスン電子など先端ファウンドリー生産ラインを保有する企業はすべてハイNA EUV装置を導入し、先端工程への適用に向けた研究開発（R&D）を進めている。このうちインテルとTSMCがサムスン電子に先んじてハイNA EUV装置の調達を加速するとみられる。インテルは18A（1.8㎚級）工程を量産中で、2028年量産が目標の14A（1.4㎚級）工程にこれを活用する案を検討すると分析される。TSMCも16A（1.6㎚級）工程を年下半期に量産する計画で、2028年量産計画の14A（1.4㎚級）工程にハイNA EUVを適用するためのR&D作業に着手するとみられる。
半導体業界関係者は「ASMLがTSMCとインテル、サムスン電子などグローバルファウンドリー企業のハイNA EUV受注量を消化するため稼働率を高めている」とし、「2㎚以下工程の競争が本格化しただけに、生産ラインに迅速に適用して市場を先取りする狙いとみられる」と述べた。
サムスン電子は昨年ハイNA EUV装置を導入してR&Dを開始した。ただしハイNA EUVを運用するためのコストが他装置に比べて大きいだけに、運用コストを最小化するため慎重にアプローチする計画とみられる。1.4㎚工程の量産日程も2029年へ当初比で約2年遅れたため、量産性が立証された後に大規模に導入して活用するとの見方が出ている。
半導体業界関係者は「ファウンドリー工程の競争が1㎚台に入り始め、ハイNA EUVの活用度が次第に重要になる」とし、「活用単価が従来装置比で2倍以上高いため、可能な限り効率的に運用する戦略の策定にファウンドリー業界が注力している」と説明した。