ハンファセミテックが次世代半導体パッケージング市場の中核技術とされる「ハイブリッドボンダー」の開発に成功したと25日に明らかにした。ハンファセミテックは開発を終えた「第2世代ハイブリッドボンダー」を今年上半期中に顧客企業へ引き渡し、性能テストを実施する予定だと説明した。
ハイブリッドボンディングは高帯域幅メモリー（HBM）の性能と生産効率を飛躍的に高める次世代技術として注目されている。チップ同士を銅（Cu）表面で直接接合する技術で、16〜20段の高積層HBMも薄い厚さで製造が可能だ。チップ間をつないでいたバンプがなく、既存品に比べてデータ転送速度が速く消費電力も少ない。
ハンファセミテックの「SHB2 Nano」には位置誤差範囲0.1㎛（マイクロメートル）単位の超精密アライメント技術が適用された。0.1㎛は髪の毛の太さの1000分の1水準だ。2022年に第1世代ハイブリッドボンダーを顧客企業に供給したのに続き第2世代の開発まで成功したことから、早期に量産用装置を市場に投入する計画だ。
ハンファセミテック関係者は「先端技術開発への継続的な投資によってハイブリッドボンディングの技術的難題を解決し、ついに製品を市場の本軌道に乗せることができた」と述べ、「今回の新技術開発で先端パッケージング市場を先導できる新たな足場が整った」と語った。
ハイブリッドボンダーの開発と併せてTCボンダー市場での地位も一段と強化する方針だ。ハンファセミテックは昨年1年間でTCボンダー製品により900億ウォン以上の売上を上げ、今年は1、2月に相次いで2件の供給契約が成立した。次世代HBM装置市場の攻略に向けた第2世代TCボンダーも開発している。今年はTCボンダーの新製品や、チップ間のギャップを縮めたフラックスレスTCボンダーなどを相次いで披露する計画だ。