SKハイニックスがヨンイン半導体クラスター1期ファブ（生産施設）建設に2026年12月末までに2兆1,608億1千万ウォンの追加投資を執行すると25日に公表した。1期ファブ建設に投入される総投資規模は3兆1千億ウォンに増加した。会社は装置導入は今回の投資とは別に追加で執行する予定だ。
ヨンイン半導体クラスター1期ファブはヨンイン市チョイン区ウォンサン面一帯でマンション50階の高さで建設が進んでいる。会社側は今回の投資について「急速に増加するグローバル顧客需要に先制的に対応し、安定的な供給体制を一段と強化するための戦略的決定だ」とし、「生産能力を早期に拡充し、顧客が必要とする時点に安定的に製品を供給できる基盤を整えたい」と伝えた。
人工知能（AI）・データセンター・ハイパフォーマンスコンピューティングなど先端産業の拡大により、高性能・高集積半導体に対する需要は構造的に拡大している。こうした中長期需要に対応し技術開発を加速するために大規模投資を執行するという説明だ。
国家先端戦略産業法により、戦略技術保有企業が入居した産業団地の容積率が法的上限の1.4倍まで緩和された。これによりSKハイニックスがヨンイン半導体クラスター1期ファブに設けるクリーンルームの面積も拡張された。
1期ファブは計2つの骨組みと6つのクリーンルームで構成される。SKハイニックスはクリーンルームを早期にオープンし、顧客対応を本格化する方針だ。今回の投資は1期ファブの骨組み工事を仕上げ、2段階（Phase 2）から6段階（Phase 6）に至る全クリーンルームを構築するのに活用される。
SKハイニックスは今回の投資を起点に、クラスター内の50余りの協力会社との共生エコシステム構築にもスピードを上げる方針だ。会社側は「クリーンルームのオープン時点が2027年5月から同年2月へ前倒しされると見込まれる」とし、「こうした早期稼働の準備状況に合わせ、実質的な運営体制を適期に構築することで、将来需要に機動的に対応できるよう万全を期す」と伝えた。