中国産メモリーの台頭を牽引するDラム企業の長鑫存儲科技（CXMT）の生産能力が昨年4四半期にピークを打ち、限界に直面したと伝わっている。米国の輸出規制を見越し中国政府も半導体装置の内製化に総力を挙げているが、先端半導体装置の規制で新規増設が制限されるとの見方が支配的である。
12日ChosunBizが入手した市場調査会社オムディアの資料によると、CXMTの月平均ウエハー（半導体原板）生産量は24万枚水準で最大値に到達したとされる。2024年から着実に生産能力を拡大してきたCXMTは、今年いっぱい停滞局面にとどまるというのが主要関係者の観測である.
現在CXMTのDラム生産能力は業界2位のSKハイニックスの半分水準で、サムスン電子の3分の1を少し上回る水準と推定される。昨年の年間ベースでサムスン電子のDラム生産能力は約760万枚、SKハイニックスは597万枚、マイクロンは360万枚水準である。昨年CXMTは前年比でウエハー生産量を2倍水準に増やし規模を拡大してきたが、今年からは速度が低下する格好だ。
チャ・ヨンホLS証券研究員は「米国の輸出規制強化でCXMTの生産能力拡大が制限されている。中国もこれを認識し、第3期投資基金が半導体装置に集中している」と述べ、「来年中国が装置内製化に成功すれば、2027年からCXMTの上海新工場をはじめとする増設が再開される可能性がある」と語った。
ただしCXMTが生産するDラムの歩留まりが足かせになっている。攻勢的な設備投資で規模を拡大しているものの、実際の生産量はこれに及ばないとの指摘が継続的に出ている。低い歩留まりで設備容量と生産量の間に乖離が生じているという説明だ。数値上のウエハー生産能力は高いが、製品不良の問題などで実質的な出荷量シェアはより低いとみられる。
市場調査会社カウンターポイント・リサーチによると、2024年基準でCXMTの主力工程である1x（10ナノ級第1世代）Dラムの歩留まりは、サムスン電子、SKハイニックスなどメモリー3社の1a（10ナノ級第4世代）工程の歩留まりと比べて42%も低いことが明らかになった。サムスン電子、SKハイニックスの場合、1a工程の歩留まりは成熟工程に分類されるが、CXMTの場合はいまだに50%水準にとどまっているという説明である。
これに加え米国政府が中国半導体装置企業に対する規制を強化すると見込まれ、産業成長の障害となり得るとの分析も提起される。先月ロイター通信は、米国の共和党と民主党の議員が半導体支援法（CHIP ACTS）に基づき補助金を受ける企業は中国製装置の購入を10年間禁止する法案を発議したと報じたことがある。
半導体業界関係者は「NANDフラッシュと異なり、Dラムの場合は設計と工程の複雑性によりCXMTがサムスン電子やSKハイニックスと同水準の先端工程を導入するまで相当な時間がかかる」と述べ、「10ナノ台前半に近づくほど極端紫外線（EUV）露光装置のような先端装置の必要性が高まるが、米国の規制で装置確保が容易でない状況だ」と説明した。