最近、世界のメモリー半導体市場の重心がDRAMからNANDフラッシュへ移っている。人工知能（AI）インフラが「学習」から「推論」段階に入るにつれ、大容量SSD（eSSD）需要が急増し、NANDフラッシュが中核の戦略資産として浮上しているためだ。価格が急騰し海外競合がシェア奪還に向けて波状攻勢をかけるなか、高帯域幅メモリー（HBM）に資源を集中しNANDの増設を抑制してきたサムスン電子とSKハイニックスの供給主導権喪失への懸念が高まっている。
11日、調査会社トレンドフォースによると、今年第1四半期のNANDフラッシュ契約価格は前期比で最大55〜60%急騰する見通しだ。これは当初想定の30%台を上回る水準で、最近DRAMが示した「スーパーサイクル」の価格上昇軌跡をNANDがそのまま再現している格好である。
エヌビディアが次世代「ルビン」プラットフォームで採用した統合ストレージ管理（ICMS）戦略は、こうした流れに拍車をかけた。ICMSは平たく言えば「頻繁に使うデータをGPUのすぐ隣に置く超高速倉庫」戦略だ。NANDを単なる「保管用倉庫」ではなく演算効率を左右する中核階層、いわゆる「ホットデータレイヤー（Hot Data Layer）」へと格上げし、AI性能向上の必須要素としたのである。
ただし業界の一部では、NAND市場のこの「ゴールデンサイクル」が韓国の半導体企業には逆説的にむしろ危機になり得るとの指摘が出ている。サムスン電子とSKハイニックスが収益性の極大化したHBMに資源を集中しNANDの増設を抑制する間に、グローバル競合はシェア奪還の好機と捉えているためだ。
現在、サムスン電子とSKハイニックスはNAND部門で40〜50%台の過去最高水準のマージンを記録し、利益極大化戦略を展開している。しかし、これは競合が設備投資を拡大する間に自ら供給主導権を譲る危うい「綱渡り」戦略だとの評価もある。
これに対する代案として、韓国企業は今年第2四半期から最先端NANDへの工程転換投資を本格化し、反撃に出る方針だ。サムスン電子は中国・西安と平澤のラインを中心に第9世代（V9）NANDへの転換を急いでおり、SKハイニックスは世界で初めて量産を開始した321層QLC（4ビット単位記録）NANDを前面に打ち出し、高付加価値eSSD市場での超格差を盤石にする戦略である。
ただし海外競合の追い上げも激しい。米マイクロンはHBMの完売で確保した潤沢な資金をNANDに大胆に再投資している。最近シンガポールに約35兆ウォン規模の先端NAND工場を着工したマイクロンは、2028年までに生産能力を倍増する計画を公式に示した。NAND特有の「ロックイン（Lock-in）効果」を活用し、グローバル大手テック顧客を長期契約で囲い込む布石である。
日本のキオクシアと米ウエスタンデジタル（WD）連合は「2026年のNAND数量の全量完売」を宣言し、332層の第10世代NANDの量産時期を年内へ前倒しするなど、技術主導権の確保に総力を挙げている。最大の脅威要因である中国のYMTCも既に270層級NANDの量産に成功し、韓国との技術格差を1年未満に縮めた。YMTCの年末までに世界市場シェア15%達成という目標は、すでに射程圏に入ったとの評価だ。
半導体業界関係者は「NANDエコシステムの主導権を米国や中国に渡す場合、今後AIインフラの中核であるデータ拠点市場で韓国半導体の地位が萎縮せざるを得ない」と述べ、「DRAMで得た収益をNANDの先端工程転換にどれだけ大胆に再投資するかが、今後の市場覇権競争に影響を及ぼすだろう」と語った。