SKハイニックスが技術の限界突破に向けて研究開発(R&D)システムを人工知能(AI)中心に全面改編し、顧客別のカスタマイズ市場を狙った「HBM BTS」戦略を公開した。先にサムスン電子が「技術のサムスン」への回帰を宣言して追撃を加速させるなか、SKハイニックスはAIを基盤とするR&D効率の極大化と独自のパッケージングソリューションを前面に掲げ、防衛の意思を明確にした。

イ・ソンフンSKハイニックスR&D工程担当副社長は11日、ソウル三成洞のCOEXで開かれた「セミコンコリア2026」の基調講演で、AI基盤のR&Dシステムへのパラダイム転換を宣言した。イ副社長は「今後10年は技術が限界に直面し、これまで経験しなかった開発難易度に直面するだろう」と述べ、人員投入中心の従来方式から脱し、時間効率性を極大化すべきだと強調した。

イ・ソンフンSKハイニックスR&D工程担当副社長が11日、ソウル江南区のCOEXで開かれたセミコンコリア2026で「メモリー技術の転換点」をテーマに基調講演している/News1

実際にSKハイニックスは物質探索作業にAIを積極活用している。イ副社長は「過去2年間で200人余りを動員して見いだした新物質探索作業をAIに置き換えれば、探索期間を400分の1に短縮できる」とし、適切なタイミングで新製品を市場投入する「ケイデンス(Cadence)」を中核競争力に挙げた。

パッケージング分野では、顧客の細分化された要求に合わせた「HBM BTS」コンセプトが提示された。イ・ガンウクSKハイニックスパッケージ開発担当副社長は同日、AIサミットでB(Bandwidth、帯域幅)・T(Thermal Dissipation、熱放散)・S(Space Efficiency、面積効率)など性能別に特化したHBMソリューションを考案したと明らかにした。HBM4EやHBM5など次世代製品に移行するほど顧客社別の特化要求が増加するだけに、これに能動的に対応する布石だ。

積層技術については、16段までは独自技術の「MR-MUF」を活用する一方で、20段以上の超高積層製品には「ハイブリッドボンディング」技術を電撃導入する計画であることを示唆した。イ副社長は「20段以上の製品を定められた高さ規格(775um)内で実装するには、ある時点からハイブリッドボンディング技術が必ず必要になる」と見通した。

◇ サムスン「総合半導体のシナジー」vs SK「HBM首位防衛」が激突

この日のセミコンコリア2026は、韓国半導体2社の自尊心対決で熱を帯びた。サムスン電子がソン・ジェヒョクCTOを通じ、メモリー・ファウンドリー・パッケージングを結合した「システムアーキテクチャ」の革新とHBM4フィードバックに対する自信をのぞかせ「技術復帰」を宣言すると、SKハイニックスは実質的なR&D革新事例と、市場シェア1位(昨年3四半期基準57%)を支えるパッケージングロードマップで対抗した。

業界では、両社とも次世代製品であるHBM4の量産体制構築に成功しただけに、今後の勝負どころはハイブリッドボンディングなど先端工程の安定的導入と、ますます断片化するグローバル大手テック顧客のカスタマイズ要求をいかに精緻に満足させるかにかかっているとみている。

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