SKハイニックスが第6世代高帯域幅メモリー（HBM4）に搭載される10ナノ級第5世代（1b）DRAMの量産で速度を上げている。エヌビディアとのHBM4品質テストが完了段階に入るなか、エヌビディアの最新人工知能（AI）アクセラレーター「ベラ・ルビン」に搭載されるHBM4の物量供給に迅速に対応するためという分析だ。SKハイニックスは1b DRAM量産に向けたウエハー投入だけでなく、チョンジュM15xファブ（Fab・工場）の増設、M16ファブの工程転換を通じて生産能力も拡大する方針である。
3日、業界によると、SKハイニックスはHBM4に搭載される1b DRAM量産のランプアップ（本格化）を早ければ今月に進める計画だという。エヌビディアが要求するHBM4サンプル物量だけでなく、ベラ・ルビンに入るHBM4物量の供給に向けたものとみられる。SKハイニックスはエヌビディアが要求するHBM4物量の供給に向け、M15xで年末までにウエハー基準で月4万枚水準の生産能力を新規に確保し、M16の工程転換も推進していると把握される。
SKハイニックスは、エヌビディアが要求した上方修正後のHBM4性能要件を相当部分で満たしたとの社内判断から、HBM4量産に拍車をかける構えだとみられる。SKハイニックスは昨年9月に業界で初めて量産体制を構築したと明らかにし、HBM4量産を公式化したが、エヌビディアが伝送速度など製品の性能要件を引き上げたことで、複数回にわたり設計を変更してきたと分析される。サムスン電子はこれに関し「開発着手段階から現在まで再設計なしで性能要件を満たした」と明らかにしたが、SKハイニックスは設計を変更してきたため、当初予想より性能要件の充足が遅れたと伝えられる。
サムスン電子が「HBM4を2月に量産供給」と公式化し、供給をめぐるスピード競争が展開されるとの見方だ。今年のHBM4供給物量は昨年に契約が完了しているが、エヌビディアが要求した性能要件に最終的に合致するHBM4を誰が先に供給するかは、企業が現時点で保有する技術力を測る要素であるためだ。サムスン電子がSKハイニックスと比べて一世代先のDRAMである10ナノ級第6世代（1c）を搭載し、HBM4の頭脳に当たるロジックダイでもSKハイニックスやマイクロンより先行する4ナノメートル（nm・1nmは10億分の1m）工程を適用して技術優位を自負する以上、これまで1位の座を守ってきたSKハイニックスも競争力を立証しなければならない状況である。
SKハイニックスは安定的な歩留まりを土台に、事業性で競合他社に対して優位を確保する戦略とみられる。サムスン電子が1c DRAMをHBM4に適用した以上、製品性能では優位にあるかもしれないが、歩留まりではSKハイニックスが先行し得るということだ。HBM4は12個の先端DRAMが搭載されるため、DRAM1個の歩留まりが重要だ。DRAM工程の歩留まりが90%を下回ると、HBM4全体の歩留まりは急激に低下せざるを得ない。これは価格競争力とHBM事業の収益性にも直結する。
半導体業界関係者は「エヌビディアの次世代AIアクセラレーターの発売日程を踏まえると、2月から中核部品であるHBM4の供給が本格化する必要がある」と述べ、「サムスン電子が今月の出荷を自信する以上、SKハイニックスもエヌビディアが要求する物量に対応するために量産物量を拡大する計画だと伝わる。迅速な供給で性能に対する市場の不安を払拭し、事業性を立証してHBM1位の座を守る戦略だ」と説明した。