サムスン電子器興SR5撤去し新研究棟建設

サムスン電子が半導体研究開発（R&D）の象徴的な空間である器興キャンパス内の総合技術院（SR5）を撤去する。この場所には今後新たな研究棟が設立される見通しだ。

1日、業界によるとサムスン電子は現在、器興キャンパス内のSR5建物を撤去する作業を本格的に進めている。撤去作業は2024年9月から行っており、上半期中に完了する見通しだ。

ここはサムスン電子が1992年に世界初の64メガビット（Mb）DRAMを開発した当時、研究に相当な役割を果たしたとされている。

サムスン電子はSR5の設備が老朽化したため、既存建物を撤去した後にここへ新たな研究棟を建設する予定だとされる。新研究棟では、近年競争が激化している高帯域幅メモリー（HBM）をはじめとするAIメモリーに関する研究を行う見通しだ。

新研究棟の着工は早ければ今年中に実現する可能性がある。器興キャンパスはサムスンの半導体研究の中核拠点としての役割が一段と重要になる見通しだ。

先立ってサムスン電子は2024年末、器興キャンパスに先端複合半導体研究開発センター「NRD-K」を竣工し、運用に入った。

李在鎔（イ・ジェヨン）サムスン電子会長は2024年12月に器興キャンパスのNRD-Kを訪れ、次世代半導体技術の競争力を点検した。この会長は次世代R&D施設の現況および▲メモリー▲ファウンドリー▲システム半導体など次世代製品・技術の競争力を確認した。