サムスン電子がAI需要追い設備投資大幅増

サムスン電子が人工知能（AI）需要の拡大に対応し、メモリ半導体の設備投資（CAPEX）を前年比で大幅に増やす予定だと明らかにした。

サムスン電子は29日に開かれた2025年4四半期の決算発表カンファレンスコールで「AIと連動したメモリ需要が持続すると見込まれるなか、設備投資は前年に比べ相当水準の増加を計画している」と述べた。続けて「これまで先行投資を通じて新規生産施設とクリーンルーム空間を確保してきた。この空間を活用するための設備投資が増加する予定だ」とし、「短期的な供給拡大への対応という観点で、業界内で競争力あるポジションを確保できる」と述べた。

新規生産施設（ファブ）への投資戦略については「AI需要の強含みが長期化する可能性に備える観点から、新たな生産空間とクリーンルームを確保している」とし、「需要の推移を見極め、増産が必要となる時点で設備投資を迅速に実行する方式で運用する予定だ」と明らかにした。

次世代研究開発（R&D）施設である『NRD-K造成』については「基礎的な技術研究から製品開発までを一カ所で実現できるよう高度なインフラ提供を目的とする自立型研究団地だ」とし、「昨年2四半期に第1段階をオープンし稼働を開始した。この施設を継続的に拡張し、先端工程の開発能力を一段と強化していく計画だ」と伝えた。

サムスン電子はまた「代表的な成長市場であるAIアプリケーションでは高性能・大容量製品の確保が不可欠だ」とし、「技術的要求（ニーズ）を実現するための先端工程の確保がDRAMとNANDフラッシュ分野で極めて重要になると見込んでいる」と述べた。続けて「今年のDRAMは1cナノメートル工程、NANDはV9工程を中心に先端工程キャパを拡大していく」と付け加えた。