サムスン電子、SKハイニックスと並び世界NAND型フラッシュの4強に数えられるマイクロンとキオクシアが、最近積極的な設備投資の動きを見せている。キオクシアは今年NAND型フラッシュの生産量拡大に乗り出す予定であり、マイクロンは最近、シンガポール生産拠点のクリーンルーム面積を70万平方フィート（約6万5000㎡）拡張する10年計画を明らかにした。これに中国のYMTCも世界市場で地位を強化しながら、サプライヤー各社の生産能力が拡大する趨勢だ。
29日、業界によるとマイクロン、キオクシアの積極的な投資の動きが、人工知能（AI）需要が終息した後のダウンターン（閑散期）局面でNANDの収益性悪化の変数として浮上している。当面はAIインフラ拡張により大容量・高性能ソリッドステートドライブ（SSD）需要が大きく伸びており、これを下支えする高密度NANDの生産能力が切実だが、需給が均衡し始めた後には全方位的な供給過剰が招かれる可能性が提起されている。
日本のキオクシアはメモリー・スーパーサイクルでNAND事業の収益性を最大化するため、生産設備の投下を増やす趨勢だ。キオクシアはサムスン電子やSKハイニックスと異なりDRAM事業を営んでいないため、NANDの増設投資に積極的に乗り出せる構造である。キオクシアのワタナベ・トモハル副社長は最近のインタビューで「市場は今後も速い拡張ペースを維持すると確信している」と述べ、「増加する需要に滞りなく応えるため、毎月新工場への投資決定を下している」と明らかにした。
キオクシアは岩手県にある北上フラッシュメモリー工場の2番目の生産施設（ファブ）を本格稼働し始めており、この施設を通じて今年上半期から最先端メモリーチップを量産し市場に供給する計画だ。北上工場とともに三重県四日市にある主力生産拠点にも大規模投資を断行し、生産能力を高めている。
マイクロンの新たなNAND工場は2028年に稼働する見通しだ。今回発表した新工場は、昨年発表した70億ドル（約10兆ウォン）規模のHBM（高帯域幅メモリー）パッケージング団地のすぐ隣に入る予定である。マイクロンは米国ニューヨーク州クレイでも長期プロジェクトとして、シンガポールの4倍規模となる1000億ドル（約143兆6000億ウォン）を投資し、4つの工場を建設している。
世界メモリー市場1位のサムスン電子はNANDの増産にやや消極的な様子で、SKハイニックスもNANDよりはDRAM、高帯域幅メモリー（HBM）に設備投資を集中している。これはAIデータセンター向けSSDに搭載されるNANDを中心に収益性を引き上げる戦略的選択とみられる。一方、キオクシアは今年、前年（471万枚）より生産量を482万枚規模に引き上げ、「AI特需」に積極対応する方針だ。
半導体業界では、サムスン電子とSKハイニックスが積極的なNAND増産に踏み切らない重要な背景として、短期的には得策だが中長期的リスクになり得る点を指摘する。サムスン電子に詳しい関係者は「過去の前例を見ると、足元ではNAND市況が良くても供給業者が多く、中国産NANDへの懸念も残っている」と述べ、「のちに市況が鈍化した後の不況期には大規模損失となるリスクもある」と説明した。
市場調査会社トレンドフォースは「キオクシアとマイクロンなど主要NAND企業の設備投資拡大は、AIインフラ需要増加、市場価格の回復期待、競争力強化に向けた技術転換という複合的要因によって発生している」とし、「これはAIメモリーとしてNANDの需要が堅調に続くとの見方が前提にあるが、供給過剰局面では価格競争が激化する可能性が高い」と説明した。