SKキーファウンドリーは28日、最近4世代200V高電圧0.18マイクロメートル(㎛) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)プロセスをリリースしたと明らかにした。ファウンドリー(半導体受託生産)企業であるSKキーファウンドリーは、このプロセスの量産を年内に開始することを目標に、国内外の主要顧客と本格的な製品開発に着手した。BCDはアナログ(Bipolar)・デジタル(CMOS)・高電圧電力(DMOS)素子を1つのチップに実装する半導体製造技術である。
SKキーファウンドリーは、最近の自動車の電動化と人工知能(AI)データセンターの拡大により高電圧・高効率の電力半導体に対する市場需要が高まっている状況に対応するため、今回のプロセスをリリースした。会社側は「自動車の電圧体系が従来の12Vから48Vへと転換しており、AIサーバーとデータセンターも電力効率と密度を最大化するため直流(DC)380Vから最大800Vまで電圧を引き上げている趨勢だ」とし、「100V以上の高電圧に安定して耐えつつ電力を効率的に制御できるプロセス技術の重要性がこれまでになく高まっている」と伝えた。
SKキーファウンドリーが今回披露した4世代BCDプロセスは、従来比で電力効率性と高温耐久性を示す特性オン抵抗(Rsp)・降伏電圧(BVDSS)特性が20%以上改善された。動作電圧別の低オン抵抗(On-Resistance)素子を提供し、チップ面積と電力損失を最小化してプロセス競争力を確保した。
BCD・高電圧(HV)電界効果トランジスタ(MOSFET)を用いる高電圧・高電流の電力管理IC(PMIC)半導体間で、デジタル信号は安全に伝送しつつ、望ましくない高電圧・ノイズは遮断する厚層間絶縁膜(Thick IMD)オプションも提供する。またSRAM(静的RAM)・ROM(読み出し専用メモリー)・MTP(多回書き込みメモリー)・OTP(1回書き込みメモリー)などの内蔵メモリーオプションと、精密モーター制御用ホールセンサーも提供し、設計の拡張性も高めた。
このプロセスは高電圧の電力管理・変換チップ、モータードライバー、LEDドライバー、電源供給ゲートドライバーなど多様な製品開発に適用できる。車載部品の信頼性評価規格である「AEC-Q100 Grade 0」も満たす。
イ・ドンジェSKキーファウンドリー代表は「200V高電圧0.18㎛ BCDプロセスの量産は意味のある成果であり、今後も電力半導体の顧客要求に合わせてプロセス技術を継続的に高度化していく計画だ」と述べた。