人工知能（AI）の高度化により、データセンターとオンデバイス（内蔵型）全般で保存需要が急速に増えている。これまで「低マージンのメモリー」として過小評価されてきたNAND型フラッシュの地位が変わり得るとの見方が出ている。AI産業が学習中心から推論中心へと移行するなか、大容量データを長期保管し再利用するストレージの重要性が高まったためである.

NAND型フラッシュは長らくメモリー産業の「鶏肋」と呼ばれてきた。技術参入障壁が相対的に低く供給過剰が繰り返され、価格変動性が大きく収益性を安定的に確保しにくかったためである。DRAMのように性能競争を通じてプレミアムを得にくい構造であることも限界として指摘されてきた。AI市場が急成長する間も、NAND型フラッシュは高帯域幅メモリー（HBM）の陰に隠れ、相対的に注目度が低かった.

サムスン電子が業界で初めて量産したクアッドレベルセル(QLC)第9世代V-NAND製品。/サムスン電子提供

こうした認識に亀裂を入れたのはエヌビディアが最近示した次世代AIインフラ構想である。エヌビディアはAI産業が学習から推論中心に移るにつれ、演算性能だけでなく大規模データを保存・再利用するストレージの役割が急速に大きくなるとみている。これによりグラフィックス処理装置（GPU）横の高速メモリーだけでなく、サーバー外部の大容量ソリッドステートドライブ（SSD）を積極活用する構成を公開した。ストレージを単なる補助手段ではなくAI推論パイプラインの一部へと引き上げた格好だ.

この過程で相対的に過小評価されてきたNAND型フラッシュは「安価な保存用半導体」からAIインフラの中核構成要素へと認識が転換しつつある。サーバー1台当たりのSSDとNAND型フラッシュの搭載容量が大きく増える可能性がある点で、エヌビディアの青写真はNAND型フラッシュの需要構造が変わり得るシグナルとして受け止められている.

需要指標はすでに反応している。韓国貿易協会によると、今年1月のNAND型フラッシュ輸出金額は13億ドルで前年同期比108%増、輸出数量も28%伸びた。市場調査会社トレンドフォースは昨年4四半期のNAND型フラッシュ価格が前四半期比33〜38%上昇し、今年1四半期も同水準の値上げが続くと見通した。サムスン電子とSKハイニックス、サンディスクなど主要各社が企業向けSSD（eSSD）に搭載されるNAND型フラッシュの価格を引き上げた背景である.

興味深いのは、需要が急速に伸びているにもかかわらず供給が攻勢的に拡大していない点だ。サムスン電子とSKハイニックスは今年のNAND型フラッシュのウエハー生産量を前年より小幅に減らすか、限定的な水準で維持する計画である。HBMなど高収益のDRAM製品に設備投資を優先配分しているうえ、AIデータセンター向け大容量SSDに対応するためQLC（クアッドレベルセル）への工程転換を進めており、生産効率の低下が避けられないためだ。業界では「現在のNAND型フラッシュは無理な増産より価格防衛と収益性回復が合理的な局面だ」との評価が出ている.

このような需給構造は当面、NAND型フラッシュの価格上昇基調を支える可能性が大きい。とりわけAIアクセラレーターとサーバー1台当たりに搭載される保存容量が急速に増えている点は、NAND型フラッシュ需要の性格が変化していることを示している。単なるデータ保管を超え、AIの推論過程で生成される大規模な中間データやコンテキスト情報を保存・管理するインフラとしてSSDが組み込まれているためだ.

中国要因も作用している。YMTCを中心に中国産の汎用NAND型フラッシュ供給は増えているが、米国の輸出規制と技術的障壁により高性能・高信頼性が求められるAIデータセンター向けSSD市場への参入は限定的な状況だ。これに対しサムスン電子とSKハイニックスはモバイル・PC向け汎用NAND型フラッシュの比重を減らし、サーバー・企業向けSSDを中心に製品ミックスを調整して収益性を防衛している。中国の低価格攻勢を意識しつつも、短期の価格競争に巻き込まれるよりは技術と信頼性の障壁が高い領域に集中する戦略である.

現在のNAND型フラッシュの価格上昇は単なる市況反騰というより、AI産業の構造変化と供給戦略、中国要因が重なった結果と解釈される。AIが「計算する技術」から「記憶し判断する技術」へ進化するにつれ、ストレージの役割も周辺から中核インフラへと移っている。長年鶏肋として扱われてきたNAND型フラッシュが、エヌビディアが示した新たな活用法を機に地位を変えられるか、そしてこの流れがサムスン電子とSKハイニックスにとってDRAMに続く新たな収益柱へつながるかが注目される.

半導体業界関係者は「AIトレンドが学習から推論へ移るなか、NAND型フラッシュと企業向けSSDなどストレージの戦略的重要度が高まっている」と述べ、「HBMの陰に隠れていたNAND型フラッシュが韓国のメモリー業界の収益性拡大における大きな柱になり得る」と語った.

※ 本記事はAIで翻訳されています。ご意見はこちらのフォームから送信してください。