HANMI Semiconductorは27日（現地時間）、シンガポールで開かれたマイクロン・テクノロジーの先端ウェハ製造工場（Advanced wafer fabrication facility）起工式に出席したと明らかにした。
HANMI Semiconductorの主要幹部が招待を受けて出席した今回の起工式には、サンジャイ・メロートラ・マイクロン会長をはじめ、ガン・キム・ヨン・シンガポール副首相とシンガポール政府関係者、半導体業界の主要人物が同席した。
今回着工したマイクロンの新規先端ウェハ製造工場は、シンガポールのウッドランズ地域に位置する既存のNAND製造団地内に建設される。近隣には2025年1月に着工した高帯域幅メモリー（HBM）パッケージング工場がある。
新工場は2028年下半期の稼働を目標とする。マイクロンはNANDセンター・オブ・エクセレンス（NAND Center of Excellence）の中核施設として当該工場を整備する計画だ。マイクロンは新規先端ウェハ製造工場に今後10年間で約240億ドル（約35兆ウォン）を投資し、最終的に70万平方フィート規模のクリーンルームを確保する方針である。
2025年1月に着工したマイクロン・シンガポールのHBM先端パッケージング工場は、今年末から量産に入り、来年からマイクロンのHBM供給に本格的に寄与する予定だ。マイクロンはシンガポールでHBM・NANDを網羅する生産拠点を構築する。
HANMI Semiconductor側は「今回の起工式出席はマイクロンとの強力な協力関係を反映する」とし、「マイクロンのシンガポール工場の生産拡大に歩調を合わせ、昨年10月にシンガポール法人を設立し、現地に熟練エンジニアを配置して専門的な技術を支援している」と述べた。HANMI Semiconductorは昨年10月、マイクロンが最優秀協力会社に授与する「トップサプライヤー（Top Supplier）」賞を受けた。
市場調査会社テックインサイトによれば、HANMI Semiconductorは世界のHBM向けTCボンダ装置市場でシェア71%を占め、首位となっている。TCボンダはHBM積層工程の中核装置であり、HBMの生産能力拡大に伴い需要が増加する。
HANMI Semiconductor関係者は「マイクロンのグローバル生産拡大戦略にともに参画できてうれしい」とし、「今後も技術協力と装置供給を通じて顧客企業の競争力強化に寄与していく」と語った。