ハンミ半導体がSKハイニックスにTCボンダー供給しHBM4量産支援

ハンミ半導体がSKハイニックスに、965億ウォン規模の高帯域幅メモリー（HBM）中核製造装置「TCボンダー」（熱圧着装置）を供給する。

ハンミ半導体はSKハイニックスとこの内容の供給契約を締結したと14日に公示した。契約期間は4月1日までであり、契約規模は2024年売上高の1.73%水準である。昨年下半期以降、比較的途絶えていた追加供給契約が再開され、SKハイニックスのHBM生産能力強化に弾みがついているとの評価が出ている。

HBMはDRAMを積層して帯域幅を高め、一度に多くのデータを送れるため、人工知能（AI）チップの中核部品として定着した。DRAMに熱と圧力を加えて固定する工程にTCボンダーが使われる。通常、TCボンダー1台当たりの価格が30億ウォン水準であることを勘案すると、今回の供給規模は3台前後と推定される。

業界では、今回ハンミ半導体が供給した装置は第6世代HBM（HBM4）製造に活用される「TCボンダー4」だとの見方が出ている。SKハイニックスはこの装置を清州工場に配置し、今年HBM4の量産に入る計画と伝えられている。SKハイニックスは昨年9月にHBM4の量産体制を構築し、大量の有償試作品をエヌビディアに供給している。エヌビディアとのHBM4の最適化作業も大詰め段階で、年初に最終品の量産に踏み切る見通しだ。

先にSKハイニックスはHBM3E（第5世代）12段製造工程でハンミ半導体の装置を全量使用していたが、昨年初めからハンファセミテックを新規協力会社とし、サプライチェーンの多角化に乗り出した。SKハイニックスは昨年、ハンミ半導体からは累計552億ウォン規模の装置の供給を受け、ハンファセミテックとは累計805億ウォン規模の装置の供給契約を締結した。