SKハイニックスが忠清北道清州に1兆9,000億ウォンを投じ、先端パッケージングファブ（工場）を新設する。会社側は「韓国政府が推進してきた地域均衡成長政策の趣旨に共感しつつ、同時にサプライチェーンの効率性と将来の競争力を総合的に考慮した戦略的決定だ」と明らかにした。
SKハイニックスは13日、自社ニュースルームに「先端パッケージングP&T（パッケージ＆テスト）新規投資に関するご説明」というタイトルの文章を掲載し、このように述べた。P&Tは半導体前工程ファブで生産された半導体チップを製品形態に完成させ、品質を最終検証する施設を指す。前工程はメモリ半導体の製造過程でウエハー上に回路を形成し、メモリセルと素子を実装する段階を意味する。
人工知能（AI）サービス競争が加速し、関連メモリ製品の需要も急増している。高帯域幅メモリ（HBM）の場合、昨年から2030年まで年平均33%の成長率を示すと見込まれている。SKハイニックスは、こうした環境変化のなかでグローバルなAIメモリ需要に安定的に対応し、清州ファブの生産最適化を考慮して今回の投資を断行すると明らかにした。「先端パッケージング工程は前工程との連携はもちろん、物流・オペレーションの安定性などの観点からアクセス性が極めて重要だが、こうした条件を考慮したとき清州ファブが最適の場所として選定された」という。
清州にはすでにNANDを生産するM11・M12・M15ファブと、後工程作業を担うP&T3が稼働中だ。ここに、2024年にHBMなど次世代DRAMの生産能力確保に向けて総額2兆ウォンを投資して建設を決定したM15Xも構えている。M15Xは当初計画より前倒しで昨年10月にクリーンルームをオープンし、現在は装置を順次セットアップ（設置）するなど稼働に向けた最終段階に入っている。
後工程は、完成したチップを切断・パッケージング・検証して実使用可能な製品に仕上げる段階で、パッケージングとテストに区分される。P&T7施設では後工程に属するアドバンストパッケージング工程が進む。この工程はHBMのようなAIメモリ製造において性能と電力効率を左右する中核技術で、最近その重要性が急速に高まっている。SKハイニックスは今回の投資により、首都圏の京畿道利川と非首都圏の清州、そして米国インディアナ州ウェストラファイエットの生産拠点まで、計3カ所のアドバンストパッケージング拠点を確保することになった。
P&T7は総額1兆9,000億ウォン規模で、清州テクノポリス産業団地内の7万坪（約23万平方メートル）の敷地に造成される予定だ。今年4月に着工し、2027年末の完工を目標とする。今回の投資でSKハイニックス清州キャンパスは、NANDフラッシュとHBM、DRAMなどの生産から先端パッケージングまでを網羅する統合半導体クラスターの体制を完成させた。
SKハイニックスはファブ間の有機的な連携を通じ、AIメモリの競争力を長期的に強化する方針だ。また、増加するHBM需要にも先手で対応する戦略である。とりわけ前工程ファブであるM15Xで製造したDRAMをHBMとして製品化する過程で、P&T7が大きな役割を担う見通しだ。
SKハイニックス側は「清州P&T7への投資を通じ、短期的な効率や損得を超えて中長期的に国家の産業基盤を強化し、首都圏と地方がともに成長する構造を築くことに寄与したい」とし、「韓国政府の政策と企業の努力がともに国家競争力強化の成果へとつながることを期待する」と伝えた。