サムスン電子が昨年4四半期の暫定業績で、連結ベースの売上高93兆ウォン、営業利益20兆ウォンを記録した。四半期営業利益が20兆ウォンを超えたのは今回が初めてである。直前四半期の営業利益最大記録は2018年7-9月期（17兆5700億ウォン）で、これを約14%上回り7年4カ月ぶりに更新した。
市場コンセンサス（18兆ウォン前後）を大きく上回るアーニングサプライズで、グローバルな人工知能（AI）インフラ投資拡大に伴うメモリー半導体市況の反騰が業績で確認されたとの評価が出ている。
8日にサムスン電子によれば、2025年4四半期の売上高は前四半期比8.06%、前年同期比22.71%増加した。営業利益は直前四半期より64.34%、前年同期比では208.17%急増した。四半期ベースでは2018年以降の最高水準である。今回の暫定業績は韓国採用国際会計基準（IFRS）に基づき推定した数値で、まだ決算が終了していない中で投資家の便宜のために提供された。
◇ メモリーが牽引した『史上最大』の好況
今回の業績改善の中心にはメモリー半導体がある。公式の事業部別業績はまだ公開されていないが、業界と証券街では半導体（DS）部門が4四半期に売上高40兆ウォン前後、営業利益15兆〜16兆ウォン水準を記録し、前年の赤字から大幅な黒字へ転換したとみている。DS部門が全体営業利益の70%以上を占めた可能性が大きいとの分析である.
AIサーバーの拡大でサーバー向けDRAMの出荷が大きく増える中、HBM中心の生産体制への転換で汎用DRAMの供給が制限され、価格の強含みが続いた点が業績改善をけん引したとの評価だ。これによりDRAM事業の営業利益率は50%前後まで回復したとみられる。
NANDフラッシュも業績負担を大きく和らげたとの分析が出ている。AIインフラに搭載されるエンベデッドソリッドステートドライブ（eSSD）中心にNAND需要が回復し、営業損失は1兆ウォン未満に縮小したか、損益分岐点に近づいた可能性が大きい。
高帯域幅メモリー（HBM）事業もDS部門の業績改善の中核とされる。市場ではサムスン電子の4四半期HBM関連売上が6兆〜7兆ウォン水準まで拡大したとみている。HBM3Eの出荷拡大と平均販売価格（ASP）上昇効果が同時に働き、高付加価値製品の比率が業績レバレッジを高めたとの分析だ。
HBM比率の拡大はメモリーポートフォリオ全般の質的改善につながり、単なる市況反騰を超えて構造的な収益性回復局面に入ったことを示す局面と解釈される。次世代HBM4はまだ本格的な売上寄与段階ではないが、今後の業績への期待を高める要素として挙げられる。
◇ 非メモリー・完成品、底を過ぎバランス回復
非メモリーと完成品事業も緩やかな回復基調だ。システムLSI・ファウンドリー事業部は4四半期も1兆〜2兆ウォン水準の営業損失を記録した可能性が大きいが、受注拡大とプロセス転換効果が反映され、前四半期比で損失幅は縮小したとの見方が優勢だ。業界では当該部門が底を通過する回復局面に入ったとの解釈も出ている。
モバイル、家電、テレビなど完成品事業は世界的な需要不振にもかかわらず健闘したとみられる。モバイル（MX）部門はフラッグシップ製品比率の拡大とコスト効率化効果で、4四半期の営業利益が2兆〜3兆ウォン水準と推定される。スマートフォンの販売量よりも高価格モデル比率が収益性改善に寄与したとの分析だ。
ディスプレーと生活家電（DA）事業部も業績回復の流れを継続したとみられる。ディスプレーはOLEDパネルの出荷増加と原価負担の緩和で1兆ウォン前後の営業利益を記録した可能性が大きく、家電事業もプレミアム製品中心の販売拡大に支えられ、同程度の利益を上げたと推定される。
4四半期の業績が市場期待を大きく上回るアーニングサプライズと確認され、通年業績への見方も急速に引き上げられている。メモリー価格の強含みとAIインフラ投資が続く場合、今年通年ベースで営業利益が100兆ウォン以上を達成すると見込まれる。
海外メディアもサムスン電子の4四半期営業利益20兆ウォン突破をAIブーム主導の『史上最大のターンアラウンド』と評価した。ロイターはメモリー供給不足とAIインフラ需要がDRAMとHBMの価格を押し上げ、サムスン電子が過去最大の四半期利益を達成したと分析した。