サムスン電子が昨年第4四半期に営業利益2兆ウォンという驚異的な実績を示したなか、国内外の専門家は本格的なメモリー半導体の超好況期が今年第1四半期から始まると見ている。これにより、今年のサムスン電子の通年営業利益は最大130兆ウォンに達するとの楽観的な見通しが出ている。
先に米マイクロンのサプライズ決算とサムスン電子の昨年第4四半期の実績は、事実上メモリー「スーパーサイクル」の予告編であり、今年に入り人工知能（AI）産業の成長を追い風にメモリー供給不足が深刻化しているとの分析が提起されている。
◇ 「言い値が通る」…メモリー各社の価格交渉力は前例ない水準
8日に国内外の主要証券会社と投資銀行の見通しを総合すると、サムスン電子は今年の営業利益が100兆ウォンから最大130兆ウォンに達すると予想されている。国内の大半の証券会社は営業利益100兆ウォン以上を既成事実化しており、野村證券をはじめ一部の海外投資銀行は120兆〜130兆ウォン水準の予想を示している。
今回のメモリースーパーサイクルは、通常のメモリー半導体の需要・供給サイクルとは異なり構造的変革の時期である点に海外専門家は焦点を当てている。現在のメモリー価格上昇は単なるサイクル回復ではなく、供給がAI関連需要に追いつかない構造的な問題だということだ。このため、世界1位のメモリー半導体サプライヤーであるサムスン電子の価格交渉力が前例のないほど高まっているとの分析である。
グローバル投資銀行マッコーリー（Macquarie）のダニエル・キム上級アナリストは「市場ではメモリー供給不足が全産業にわたり広範な価格急騰を招いている」と説明した。ダニエル・キムは「需要が供給を上回る状況で、購入者は供給を確保するためにより高い価格をいとわず支払っている」とし、「メモリー価格の上昇は需要牽引というより供給制約によって構造的に強化されたものだ」と評価した。
市場調査会社IDCもメモリースーパーサイクルの構造的性格を強調している。IDCは最近のレポートで、現在のメモリー価格急騰を「需要回復局面で現れる一時的なボトルネックではなく、AIインフラ拡大によりグローバルのメモリー生産能力が戦略的に再配置される過程で発生した構造的な供給不足」と規定した。メモリー半導体メーカーがAIデータセンター向け高帯域幅メモリー（HBM）と大容量DDR5 DRAMに生産能力を集中させる一方、スマートフォン・PCに使われる汎用DRAMとNAND型フラッシュの供給が相対的に萎縮し、これにより価格上昇圧力が川上から川下まで幅広い産業に拡散しているという説明だ。
当面、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの3社が世界市場の90%を独占するDRAM供給量が劇的に増える可能性も乏しい。わずか2年前までDRAM価格下落で苦しんだ3社が、DRAM増産投資に消極的な姿勢を示してきたためだ。
IDCもこうした供給制約は短期間で解消しにくいとして、2026年時点のDRAM供給増加率は約16%、NAND型フラッシュの供給増加率は17%にとどまると予想した。これは過去平均を下回る水準であり、構造的な供給不足が続く可能性が大きいとの分析である。業界では、このような需給環境がメモリー市場を需要者中心から徹底した供給者優位の構図へ再編すると見ている。
◇ 電子・IT・自動車など産業全域に広がるメモリー「不足」
AIサーバー、PC、モバイル、家電、自動車などあらゆる分野で半導体の供給不足が生じ、汎用DRAM、NANDの価格上昇基調も次第に上方修正される趨勢だ。最近、市場調査会社トレンドフォースは2026年第1四半期時点の汎用DRAMの契約価格が前四半期比で最大60%上昇すると予想した。従来の予想をさらに上方修正したものである。サーバー用DRAMは60%以上の上昇を見込んだ。これは供給不足が依然続くなか、サービス事業者が供給を先取りするために価格プレミアムを受け入れる市場構造を反映した見通しだ。
過去に半導体市場について保守的な見通しを示してきたモルガン・スタンレーでさえ、市場コンセンサスを大きく上回る数値を提示している。モルガン・スタンレーは最近のレポートで、2026年のDRAM平均価格は約62%上昇、NAND価格は75%上昇すると見通しを上方修正した。一部で提起されるHBM価格下落への懸念についても「HBM価格の下方リスクは低い」とし、HBM3E（第5世代HBM）価格は下落せず、AI向けHBMの価格強含みが続くとみている。